各位读者可观察到，SSD 今年越来越便宜，内存也有望逐步下调。美光（Micron）于近日线上财务说明会议，表示下一世代 96 层 3D 堆叠 NAND 闪存将于今年下半年开始量产出货，而 1Y 奈米 DRAM 也会在同期量产。
美光近期财报均交出不错的成绩单，但对读者而言，能出现便宜的产品让消费者选购似乎更实际一些。近日美光举办 2018 第三季会计年度线上财务说明会议，本季营业额达美金 78 亿元，相比去年同期提升 40%，相较上一季也增长 6%。
除了优异的财报结果，第三代 3D 堆叠 64 层 NAND 闪存，预计将于今年第二季量产出货，成本进一步下调。美光也对第四代 3D 堆叠闪存产品表示开发进度良好，将继续使用 Replacement Gate 制程和 CMOS under the array 结构。
▲ 3D 堆叠 96 层闪存和 1y 奈米动态内存，均预计于今年下半年量产出货。
美光另一项重要产品 DRAM 动态内存，1X（18）奈米制程预计下半年将成为量产主力，1Y（14~16）奈米制程也将于下半年量产出货，更进一步的 1Z（12~14）奈米或 1α 也在开发。中国邀请内存生产厂商喝咖啡之后，内存售价涨势受到一定程度的压抑，对终端消费市场而言，只要未来没有什么重大状况，这态势或许会延续到下半年。
（本文由 T客邦 授权转载；首图来源：美光）
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