中芯国际第二代FinFETN+1年底试产，声称性能比14nm还高20%
2024-11-24
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华为面临着美国的禁令时，作为中国大陆地区最大的芯片制造商中芯国际一度被寄予厚望，但中芯国际也是要受到美国禁令的约束的。不过中芯国际回应已向美方申请继续为华为供货。近日从中芯国际投资者与该公司在互动平台上个的问答引起新的热议，我们从中可以知道中芯国际目前在芯片工艺上有了很大的改善。
9月1日投资者在互动平台提问中芯国际：目前公司 14nm 已经量产， N+1 代芯片进入客户导入阶段，可望于 2021 年进入量产，以上新闻报导的信息是否属实？次日，中芯国际便作出回应称，公司第一代 FinFET 14nm 已于 2019 年四季度量产；第二代 FinFET N+1 已进入客户导入阶段，可望于 2020 年底小批量试产。
FinFET 即鳍式场效晶体管，是加州大学伯克利分校胡正明教授发明的，该工艺解决了传统的平面场效应管的尺寸已经无法缩小的难题，并可以改善电路控制并减少漏电流，缩短晶体管的闸长。得益于 FinFET 的发明，半导体制程从 22nm 一直改进并且已经突破到了 5nm ，而中芯国际也是受益者之一，在 2019 第四季度财报会议上，梁孟松博士透露了中芯国际下一代 N+1 工艺和 14nm 相比，性能提升了 20% ，功耗降低了 57% ，逻辑面积缩小了 63% ， SoC 面积减少了 55% 。而 N+1 和 7nm 相比，唯一区别在于性能方面， N+1 工艺的提升较小，市场基准的性能提升应该是 35% 。
而作为中芯国际 CEO 的赵海军博士称， 14nm 的营收将在今年继续稳步上升， 14nm 产能也将随着中芯南方 12吋厂的产能爬坡而增长。
2020-09-25 23:01:00
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