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重庆之后格罗方德再搭成都,合建 12 吋晶圆厂发展先进 FD-SOI

2024-12-26 206

全球晶圆代工第二大厂格罗方德投资重庆计划传出告吹,但格罗方德并未停止中国布局,而是转投成都市政府怀抱,共同合组格芯成都。今 10 日成都市政府与格罗方德正式在成都高新区举行签约暨签约仪式,宣布再建一座 12 吋晶圆厂。

格罗方德与中国四川省成都市政府合组格芯成都,共同投资兴建 12 吋厂,于今 10 日举行签约与奠基仪式,新厂落户成都高新区滨河路地段,总投资金额将达 90.53 亿美元。格罗方德首席执行官 Sanjay Jha 都亲临签约仪式。

(Source:成都市政府)

据悉,格芯成都新厂将布建全球首条 22 奈米 FD-SOI 制程生产线,产品将能广泛运用于行动终端、物联网、汽车电子等领域,在四川地区创造 9000 个直接工作机会,并为整个生态圈带来 15,000 个职缺。

格罗方德预计新厂将于 2018 年第四季先行投产主流 CMOS 产品,于 2019 年第四季才会投产 22 奈米  FD-SOI 先进制程产品。

除了主流的 FinFET 技术,在物联网浪潮下,FD-SOI(全耗尽型绝缘层覆硅)技术也日渐受到重视。与 FinFET 相比,FD-SOI 基板虽然较贵,但在掩模数量与制造工序比 FinFET 来得少,减少部分光罩成本也缩减了制造时间,在技术上比 FinFET 更适合类比/混合讯号、RF,FD-SOI 还具备了低功耗的优势,因此,不少人认为 FD-SOI 将是物联网较佳选择,或能与 FinFET 互补。

格罗方德除在 FinFET 制程尽力追赶,于日前宣布跳过 10 奈米积极发展 7 奈米 FinFET 制程,在 FD-SOI 同样投注不少心力,2015 年推出的 22 奈米 FD-SOI 平台后,在去年 9 月进一步发表新的 12 奈米 FD-SOI 技术。新一代 12 奈米 FD-SOI 产品,估计 2018 年底将于德国 Dresden Fab 1 投产,2019 年将 22 奈米 FD-SOI 生产重心转移至成都新厂。

中国知名半导体分析师孙昌旭透露,二期建成后,成都厂估计月产能可达 8.5 万片、年产能达到 100 万片。

而成都高新区除了格罗方德逾 90 亿美元的新晶圆厂制造项目,包含国显光电 AMOLED 6 代厂及京东方 B12 新厂 6 代 LTPS/AMOLED 生产线也都落户于此。成都市政府在去年 12 月也与紫光集团签订《紫光 IC 国际城项目合作框架协议》,选址天府新区成都科学城,就积体电路、研发设计、产业投资基金等领域展开深入合作,拟兴建新的晶圆厂,官方估计总投资金额将超过 2,000 亿人民币。

(Source:成都市政府)

(首图来源:科技新报)

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2019-03-27 21:30:00

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