闪存及储存设备大厂 Western Digital 于 22 日宣布，已在该公司的日本四日市工厂开始试产容量 512Gb、采用 TLC 技术的 64 层 3D NAND (BICS3) 的闪存芯片，并且预计于 2017 下半年开始进行量产。这款全球首创的闪存芯片，是 Western Digital 在闪存产业近 30 年以来，诸多创举中的最新力作。
根据 Western Digital 内存技术执行副总裁 Siva Sivaram 表示，推出业界首款容量 512Gb、64 层 3D NAND 的快闪记忆芯片，是 Western Digital 在 3D NAND 技术的一大进展。其储存密度与 2016 年 7 月推出的 64 层架构的闪存芯片相比增加一倍之多。这使 Western Digital 快速拓展的 3D NAND 技术产品组合更加完整。并且能够持续满足客户因应零售、行动与资料中心应用日益增长的储存需求。
这款全新的 512Gb，64 层闪存芯片，是由 Western Digital 与其技术及制造合作伙伴东芝 (Toshiba) 所联合开发。Western Digital 在 2016 年 7 月发布全球首创 64 层 3D NAND 技术，并于 2015 年开发出 48 层 3D NAND 技术，两种技术产品目前持续向零售及 OEM 顾客出货。
事实上，面对合作伙伴东芝因为亏损而必须要拆分半导体事业，并可能出售大部分半导体业务股权的情况。由于，Western Digital 旗下的 Sandisk 与东芝有多年的合作关系，使得 Western Digital 成为在 2015 年宣布收购了 SanDisk 之后，成为当前的台面上最有可能出线收购东芝半导体股权的公司。
当前，虽然东芝也有自己的通路贩售所生产的闪存。但是，根据与 Western Digital 的合作关系，东芝所生产的闪存有高达 45% 的比率必须要提供给 Western Digital 旗下的 Sandisk 使用。而调查数据显示，就全球 NAND 闪存市场来说，三星以市占率为 32.6% 抢下龙头宝座位置，东芝以 21% 排名第二位，SanDisk、美光以 15.4% 与 14.8% 分居三、四名。而 SK 海力士仅以 11.9% 吊车尾挤进前五强。再加上当前 Western Digital 又领先业界推出首款容量 512Gb、64 层 3D NAND 闪存芯片。未来一旦 Western Digital 真的抢下东芝半导体的多数股权，则很可能将为其他厂商带来更多的压力。
(首图来源 :shutterstock )
