就在台积电与三星在逻辑芯片制程技术逐渐导入 EUV 技术之后，内存产业也将追随。也就是全球内存龙头三星在未来 1Y 奈米制程的 DRAM 内存芯片生产上，也在研究导入 EUV 技术。而除了三星之外，韩国另一家内存大厂 SK 海力士 (Hynix) 也传出消息，正在研发 EUV 技术来生产 DRAM 内存，未来有机会借此将生产 DRAM 的成本降低。
根据韩国媒体的报导，不论是处理器还是内存，现在的半导体生产几乎都离不开光刻机。至于，采不采用最先进的 EUV 极紫外光光科技术目前主要是看厂商的需求及成本。相较来说，逻辑芯片上以处理器产品来看，因为在制程节点推进到 7 奈米制程之后，对 EUV 技术的需求就明显而直接。而且越往下的先进制程，未来也就越仰赖 EUV 技术。
报导指出，而回过头来看 DRAM 内存产业，目前对 EUV 技术需求相对来说就没有处理器来得不殷切。原因是目前最先进的 DRAM 内存制程依然在 18 奈米以上。所以，除了三星与海力士之外，全球三大内存厂之一的美光，之前就表态表示，即使到了 1α 及 1β 的制程技术节点，也还没有使用 EUV 技术的必要性。
不同于美光的看法，三星在处理器的逻辑芯片制程导入 EUV 技术之后，在 DRAM 内存制程上也传出开始在 1Y 奈米制程节点上尝试 EUV 技术，而且最快在 2020 年量产 EUV 技术的 1Y 奈米 DRAM 内存。而除了三星之外，SK 海力士也将在韩国的利川市新建的 DRAM 生产工厂中，研发内含 EUV 技术的 DRAM 内存生产技术。
至于，为何要采用 EUV 技术来生产 DRAM 内存，其原因就在于可以提高光刻精度、减小线宽、降低内存单位容量成本。不过，虽然 DRAM 内存希望以 EUV 技术来进行生产。只是，目前在此领域 EUV 技术还不够成熟，产能不如普通的光刻机，这部分还需要时间来进行改进。
(首图来源:三星官网)
