三星电子（Samsung Electronics）9 日宣布量产业界首见的 3-bit 3D 内存 NAND flash 芯片，可用于 SSD 硬盘，提升储存效率。
韩联社报导，三星 8 月首次发表这款记忆芯片，每个记忆单元（cell）皆可储存 3 bit 数据，之前 3-bit 技术仅用于平面（Planar）NAND flash，如今拓展用途，使用于 3D NAND flash。
新款 3-bit 3D 芯片采用第二代 V-NAND 技术，垂直堆叠 32 层，整合程度比 24 层芯片高出 30%。NAND flash 多用于智能手机、平板等行动装置，电源关闭后，储存内容也不会消失。
DRAMeXchange 数据显示，今年第 2 季，三星电子 NAND flash 市占率达 30.8%，季增 0.8%。
BusinessKorea 9 月 16 日报导，2000 年中期以来，NAND flash 制程从 40 奈米一路降至 16 奈米，业界专家认为 14 奈米将是微缩制程极限，因为 10 奈米 NAND flash 技术上虽然可行，可是所需的设备投资过高，就算生产也难以获利。
微缩制程遭遇瓶颈，业者因此另辟蹊径，改采 3D 垂直架构。报导称，其中三星电子技术最为先进，今年 5 月推出业界首见 V-NAND 技术堆叠 32 层，高于前代的 24 层。部分专家预估，三星可能已经完成 48 层堆叠的原型技术。另外 SK 海力士（SK Hynix）、东芝（Toshiba）等也投入研发。
（MoneyDJ新闻 记者 陈苓 报导）
首图来源：三星
