在 7 奈米及 5 奈米节点，台积电丰收满满，竞争对手三星追赶始终无力挽回颓势，三星决心将赌注押宝 3 奈米节点，日前宣布将采用 GAA 环绕栅极晶体管技术。台积电也非省油的灯，日前的法说会，台积电宣布 2020 年资本支出约 150 亿至 160 亿美元，80% 将投入先进产能扩增，包括 7 奈米、5 奈米及 3 奈米等制程。虽然台积电没有公布 3 奈米制程细节，总裁魏哲家却宣布，台积电 4 月 29 日在北美技术论坛将公布 3 奈米制程状况，台积电与三星的 3 奈米制程战争一触即发。
台积电 3 奈米制程最终选择什么技术，对半导体业来说非常重要。目前能深入 3 奈米制程节点的晶圆生产厂商只有台积电和三星。三星之前抢先宣布 3 奈米制程技术发展，将会放弃 FinFET 鳍式场效应晶体管技术，转向 GAA 环绕栅极晶体管技术。
外电报导，目前三星 3 奈米制程分 3GAE、3GAP 两个世代，后发的 3GA 要比 3GAE 性能更强。首发 3GAE 是第一代 GAA 技术，根据官方说法，因是全新 GAA 晶体管结构，三星使用奈米设备制造出 MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多桥─通道场效应管），可显著增加晶体管性能，以取代 FinFET 晶体管技术。此外，MBCFET 技术还能相容现有 FinFET 制程技术及设备，加速制程开发及生产。
2019 年于日本举行的三星晶圆代工论坛（SFF），三星还公布未来 3 奈米制程的具体性能提升标准，也就是与 7 奈米制程相比，3 奈米制程可将核心面积减少 45%，功耗降低 50%，整体性能提升 35%。
三星日前宣布，计划在 2030 年前投资 1,160 亿美元打造非内存的半导体王国，但在 7 奈米及 5 奈米等制程节点都落后台积电，所以三星押宝 3 奈米节点，希望超越台积电成为全球第一大晶圆代工厂，三星对 3GAE 制程技术寄予厚望，预计最快 2021 年量产。
面对三星大举投资的正面挑战，台积电也在 3 奈米节点大举投资，2019 年宣布斥资 195 亿美元兴建 3 奈米厂，预计 2020 年正式开工。但关于 3 奈米制程技术的细节一直没有透露，未来台积电是否会像三星选择 GAA 技术，或继续改进 FinFET 技术生产，两种技术路线将影响未来许多高阶芯片设计与发展，所以台积电 4 月 29 日的发表格外引人关注。
（首图来源：科技新报）
