台积电先进制程的部分，目前 5 奈米准备积极进入量产，3 奈米也将在 2022 年投产的关键时刻，更先进的 2 奈米制程也传出取得重大进展，市场估计 2 奈米预计在 2023~2024 年量产的情况下，预计将能进一步巩固全球晶圆代工龙头的地位。
根据《经济日报》的报导，台积电在 3 奈米制程决定以成本及良率的考虑，延用鳍式场效晶体管（FinFET）技术，并取得全球的领导地位之后，更先进的 2 奈米制程预计将切入环绕闸极（GAA）技术，正式进入另一个全新的制程技术领域，而且预料在接下来的年度技术论坛中，台积电将会公布这项成果。不过，台积电对此并未做任何评论。
报导指出，虽然台积电自 2019 年公布，将以数百人的研发团队正式投入 2 奈米的技术研发以来，至今没有公布 2 奈米制程节点会选择沿用 FinFET 技术，或者是改用 GAA 技术。不过，根据相关供应链表示，因为 FinFET 技术将自 3 奈米以下会面临技术瓶颈，因此台积电才会在 2 奈米选择采用 GAA 的技术。
另外，因为竞争对手三星已经宣布自 3 奈米的制程节点开始，就采用 GAA 的技术，台积电的时程显然落后三星，不过市场人士指出，就之前台积电也较三星晚采用极紫外光刻设备，但在制程良率上仍领先三星的情况下，台积电采稳扎稳打的务实性做法，于 2 奈米才采用 GAA 技术而落三星一个世代，预计还是能持续维持其优势的地位。
报导进一步指出，这次台积电能在 2 奈米制程节点上有所突破，归功于台积电挽留了 3 年前即要退休的台积电最资深副总经理罗唯仁。在他带领的团队为制程技术研发进行了突破，才有了当前的成果。为此，罗唯仁还为团队举行了庆功宴，以感谢团队的辛劳。
而根据日前台积电的公告，预计 2021 年动工，将于美国亚利桑那州设置的 12 吋厂将以 5 奈米制程为主，并将于 2024 年投产，月产能达到 2 万片的产能。而这时间点对照目前台积电先进制程的发展计划，届时台积电在台湾部分已经 2 奈米进入投产阶段，使得整体美国厂的完工，届时将对台积电在台湾的先进制程订单不会有所影响。
此外，日前也外传，竞争对手三星也宣布将放弃 4 奈米的制程，直接投入 3 奈米制程与台积电面对面竞争。市场人士也表示，就台积电一旦真的如其在 2023 年到 2024 年间量产 GAA 技术的 2 奈米制程，则三星想在 3 奈米制程弯道超车的状况，将会难上加难。
（首图来源：科技新报摄）
