中国发改委与三星传将签 MOU，估将压抑 DRAM 涨幅、加速增产

TrendForce 内存储存研究（DRAMeXchange）指出，由于内存价格延续呈现超过 6 季的上涨，造成数家中国智能手机品牌厂不堪成本压力，因此在 2017 年年底，中国发改委员会正式对三星半导体表达不满，进一步造成第一季行动式内存的涨幅有所收敛。近日也传出韩国政府偕同三星电子将可能在近期与中国发改委签署备忘录，内容将涵盖在半导体领域的相关合作，其中包含扩大在中国投资以及技术合作的可能性。

由于中国地区在近年内是内存产出的最大出海口，不管是国内需求或是外销，透过中国所购买的内存比重持续增加，因此，对于中国市场的抗议，三星必须给予尊重及反应。DRAMeXchange 研究协理吴雅婷指出，此次事件将可能对未来内存产业产生以下两种影响：

一、DRAM 虽仍呈供货吃紧状态，但未来涨幅将受抑制

就 DRAM 领域来看，目前供应商在生产行动式内存的获利远低于其他产品别，而受到第一季智能手机的低迷需求影响，再加上中国发改委的动作，预期未来价格涨幅将更受抑制。展望未来，供应商预期会持续将现有的产能从行动式内存转向更高毛利产品，造成其他产品别的价格涨幅也进一步收敛。

二、供应商为避免价格涨幅过高，新增产能的可能性增加

其次，在 NAND Flash 领域，2018 年由于 3D NAND Flash 的比重持续提高，因此供货吃紧的状态较 2017 年大幅改善。然而，观察 DRAM 供给，由于目前并未有新增产能贡献位元产出，造成 2018 年仍属供不应求状态。DRAMeXchange 分析，为因应中国官方代表本土企业对于内存价格持续上涨所表达的强烈不满，对供应商而言，在涨价受到抑制、成本下降不易的考量下，新增产能的可能性与时程皆可能转趋积极，透过增加产能来贡献位元产出不仅可以维持价格稳定，也希望借此维持该企业在 DRAM 产品的绝对获利。

（首图来源：shutterstock）

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