武汉新芯内存生产基地在 3 月正式启动，目标在 2030 年成为月产能百万片的半导体巨人，科技新报先前曾发表专文，阐述武汉新芯发展内存的难点，不过，现在有花旗分析师认为，武汉新芯 2017 年可完成 48 层 3D NAND Flash 生产验证，到 2018 年就能量产。
3D NAND Flash 被武汉新芯视为在内存产业弯道超车的关键，搭上美国飞索半导体（Spansion，现已并入 Cypress），由武汉新芯出钱，飞索出技术，武汉新芯得以使用传统悬浮闸式（Floating Gate）以及开发 3D NAND Flash 重要的电荷储存式（Charge trap） 技术专利。
据悉，Spansion 实验室 3D NAND Flash 产品堆叠不到 10 层，不过，花旗集团半导体设备分析师 Atif Malik 在近期报告看好武汉新芯在 3D NAND Flash 的发展，指出其在 2017 年即可完成 48 层 3D NAND Flash 生产验证，到 2018 年就能量产。而科技新报先前取得的消息，估计 2017 年，武汉新芯将量产 32 层堆叠产品。
3D NAND Flash 技术有其难点，即便最先量产 3D NAND 产品的三星，也在关键技术提出后的六年才真正发表 3D NAND Flash 产品“V-NAND”，包含 SK 海力士、东芝/SanDisk、美光/英特尔各家厂商，也在最近一年旗下 3D NAND Flash 产品才陆续进入量产。
（Source：DRAMeXchange）
目前三星、SK 海力士与东芝/SanDisk 的 3D NAND Flash 技术已来到 48 层，据调研机构 Techinsights 整理的各家厂商技术蓝图（Roadmap），到 2018 年武汉新芯产品量产，三星的堆叠层数将上看 96 层。
2015 年5 月，武汉新芯才与NOR 内存厂商飞索半导体（Spansion）签订合作协议与交叉授权发展3D NAND Flash，倘若武汉新芯真在 2018 年量产 48 层 3D NAND Flash，相较三星在 2006 年左右即投入 3D NAND Flash 的研发，到 2015 年第四季量产 48 层 3D NAND 产品，等于三星花了九年时间做到的事，武汉新芯花三年就做到。
调研机构 IHS 半导体价值链主管 Akira Minamikawa 等人先前唱衰，即便三星、东芝等 NAND Flash 厂商，都花了很长一段时间，并耗费了相当大的资源，才成功量产 3D NAND Flash，武汉新芯要发展 3D NAND Flash 相当困难。
究竟哪个分析师才是有先见之明？武汉新芯是否真能成功，2018 年见分晓！
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（首图来源：武汉新芯官网）
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