三星与台积电在先进制程争竞赛打得火热，当初官方宣布 10 奈米制程量产时间都落在 2016 年下半，而今 17 日三星抢先台积电宣布 10 奈米 FinTech 制程量产。外界也揣测，此举为 Galaxy Note7 爆炸事件后灰头土脸的三星，为筹备下世代旗舰新机 Galaxy S8 力求再起所做的布局。
三星官方今 17 日宣布，已用 10 奈米 FinTech 制程量产逻辑系统单芯片（SoC），三星指出，新的 10 奈米 FinFET 制程采用先进 3D 晶体管结构，相较三星 14 奈米制程晶圆效能将能提升 27%、功耗减少 40%、每晶圆芯片数量将能提升 30%。三星指出，在第一代 10 奈米制程（LPE）推出后，第二代低功耗 10 奈米（LPP）制程也将于 2017 年下半量产。
官方虽未透露首款 10 奈米芯片相关资讯与产品代号，但外界认为用为三星下世代旗舰新机 Galaxy S8 处理器，是自家 Exynos 系列芯片又或采用高通 10 奈米芯片骁龙（Snapdragon） 830 尚不得而知，国外科技媒体 WCCETech 则指出，S8 处理器将为 Exynos 8895 与骁龙 830 各半，而固件就有 G955FXXE0APJ3、G955FOXA0APJ2 与 G955FXXE0AP 三版本。
市场传出 Galaxy S8 将于 2017 年 2 月的 MWC 世界通讯大会中发表，并于 3 月上市，以扳回一城，反转 Galaxy Note7 所造成的冲击。
对手台积电先前则预估 10 奈米将于 2016 年第四季量产，三星目前抢得头香，而良率又是另一件事了。
- Samsung Starts Industry’s First Mass Production of System-on-Chip with 10-Nanometer FinFET Technology
- Samsung begins 10nm chip production, heading for Galaxy S8
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The Samsung Galaxy S8 Has Three Different Firmware Variants Says Latest Leak
（首图来源：flickr/TechStage CC BY 2.0）
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