为迎接因 5G 手机的带动之下，接下来内存产业的复苏，满足市场上的需求，韩国内存大厂 SK 海力士 (SK Hynix) 准备发售两款新的固态硬盘 (SSD)，型号分别为 Gold P31 及 Platinum P31，预计都采用 PCIe 形态，而且都将支援 NVMe。更重要的是，这两款 SSD 都将采用 SK 海力士之前宣布量产的最新的 128 层堆叠 4D TLC NAND Flash，单颗芯片容量最高可达到 1Tb，整合超过 3,600 亿个储存单元。
根据外电报导，SK 海力士早就在 2019 年 6 月份就宣布，正式量产 128 层堆叠的 4D NAND Flash，成为全球首家量产 128 层 NAND Flash 的内存厂商。不过，SK 海力士的这个 4D NAND Flash 基本上其实也是 3D NAND Flash 架构，只是把过去 3D NAND Flash Cell 单元的 PUC（Peri Under Cell）电路，从之前的位置迁移到底部，所以称之为 4D NAND Flash。
因此，其实所谓 4D NAND Flash，也就是 SK 海力士为了宣传起的新名字，本质上还是 3D NAND Flash，只不过单芯片采用 4 层架构设计，结合了 3D CTF (电荷捕获闪存) 设计、 PUC (Peri. Under Cell) 技术，PUC 是指制造 NAND Flash 时先形成周边区域再堆叠晶体，有助于缩小芯片面积。所以，取名 4D NAND Flash 似乎只是为了比较好行销。
报导表示，SK 海力士宣布，公司于上个月开始正式向客户交货的 128 层堆叠 4D NAND Flash 的工程样品，全部都是 TB 容量等级的高密度解决方案，包括手机所用的 1TB UFS 3.1 4D NAND Flash，消费等级的 2TB SSD、以及企业级的 16TB E1.L 规格 SSD。SK 海力士指出，其新推出的 128 层堆叠 4D NAND Flash 的单颗容量为 1TB 大小。所以，未来可以做到很大的容量，是业界储存密度最高的 TLC NAND Flash。
报导进一步指出，现在 1TB 储存空间的手机，通常需要使用两颗 512GB 的 UFS NAND Flash，在 SK 海力士的 1TB UFS 3.1 4D NAND Flash 正式出货后，手机使用 NAND Flash 的数量就会减少一半，节省更多的手机主板空间，再加上 SK 海力士这颗 1TB 的 4D NAND Flash 封装厚度仅 1mm，是未来超薄 5G 手机的绝佳选择。预计搭配这款 4D NAND Flash 的手机有望在 2020 年下半年量产，而搭载 128 层堆叠 4D NAND Flash 的 2TB 消费级 SSD，以及 16TB 的 E1.L 规格的企业级 SSD 也预计会在 2020 年下半年量产。
(首图来源:SK 海力士官网)
