TrendForce 旗下内存储存事业处 DRAMeXchange 最新调查显示，受惠于全球智能手机进入传统备货旺季，加上各 DRAM 产品价格同步上扬，第三季行动式内存总产值达 45.88 亿美元，季成长约 16.8%。
DRAMeXchange 研究协理吴雅婷表示，第三季有苹果 iPhone 7 与三星 Note 7 旗舰机型发表，让全球行动式内存出货大增，纵使 Note 7 受爆炸影响于第四季宣布停产，先前的备料动作已为第三季行动式内存的营收做出贡献。
以三大 DRAM 厂行动式内存营收市占来看，三星半导体营收持续扩大到约 64.5%，SK 海力士约为 22.8%，美光半导体为 10.6%，三大主要 DRAM 厂的营收占比达 97.9%，而排名第四的南亚科仅有 1.3%。
吴雅婷指出，第三季行动式内存占 DRAM 总营收比率上升至 43.5%，在 Note 7 停产后各品牌厂纷纷抢占三星失去的市场，且行动式内存价格上涨趋势不变的情况下，预计今年第四季行动式内存在 DRAM 总营收占比仍将持续扩大。
三星仍为技术领导者，获利能力为三大 DRAM 厂最高
就三大 DRAM 厂竞争能力分析，三星仍是行动式内存霸主，除 20 奈米制程已进入相当成熟的阶段，今年第四季更有 LPDDR4 16Gb mono die 正接受客户的验证，其技术领先业界，如验证成功，2017 年的高阶手机将有望搭载 8GB 内存。此外，其 18 奈米制程技术也将于明年放量，有望进一步提升三星半导体部门获利。
SK 海力士 21 奈米制程良率正逐步提升，加上适逢手机传统出货旺季，其行动式内存的 21 奈米制程的投片量也在第三季放大，SK 海力士计划将 21 奈米制程良率推至更成熟的阶段，明年下半年也将导入 18 奈米的试产，提高自身竞争力。
美光集团先前由于财务状况不稳定，在行动式内存采取 20／25 奈米并重的策略，并以华亚科 20 奈米转进速度最快，专注于提供苹果阵营的需求，而非苹果阵营的行动式内存需求交由广岛厂与台湾美光内存的 25 奈米制程供应比重较高。明年美光集团也有望导入 18 奈米制程。
台系 DRAM 厂方面，受惠于行动式内存的生产比重提升，加上行动式内存涨价，南亚科在全球 DRAM 厂季营收市占从 1.1% 提升至 1.3%。目前南亚科厂内正进入 20 奈米制程转换工程，该制程的行动式内存产能将于明年开出。
华邦电子第三季在全球 DRAM 厂的营收市占与上季持平，约 0.8%，整体营收在客制化产品与 ASIC 产品价格提升后小幅成长，华邦电子新制程 38 奈米有机会于今年少量生产，且将优先利用在利基型内存与行动式内存上。
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