中国紫光集团旗下的长江存储于 9 月 2 日正式宣布，已开始量产基于 Xtacking 架构的首款 64 层堆叠 256Gb TLC 3D NAND Flash 闪存，以满足市场固态硬盘、嵌入式储存等市场的应用需求。
根据中国媒体的报导表示，长江存储表示，其新款 64 层堆叠 3D NAND Flash 闪存是全球首款基于 Xtacking 架构设计，并且达成量产的闪存产品，拥有同代产品中最高的存储密度。
所谓的 Xtacking 架构就是可在两片独立的晶圆上，分别加工周边电路和储存单元，这样有利于选择更先进的制造技术，而且当两片晶圆各自完工后，其 Xtacking 技术只需一个处理步骤，就可透过数十亿根垂直互联通道 (VIA) 将两片晶圆结合。相比传统 3D NAND Flash 快闪记忆架构，Xtacking 架构将可带来更快的 I/O 传输速度、更高的储存密度，以及更短的产品上市周期。
长江存储指出，透过将 Xtacking 架构导入大量生产，能够显著提升产品性能，缩短开发周期和生产制造周期，从而推动高速大容量储存解决方案市场的快速发展。而随着 5G、人工智能和超大规模资料中心时代的到来，闪存市场的需求将持续成长。长江存储 64 层堆叠 NAND Flash 快闪记忆产品的量产，将与全球的内存大厂进一步抢食市场。
2016 年，长江存储在 NOR Flash 晶圆制造商武汉新芯的基础上，由紫光集团联合国家积体电路产业基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投资组建而成，总投资约为 240 亿美元，负责国家内存基地计划的、建设和营运。之后，长江存储于 2017 年研制成功中国第一颗 3D NAND Flash 快闪记忆芯片。
2018 年 8 月，长江存储再公开其 Xtacking 生产技术，期望以 Xtacking 生产技术，在小规模量产 32 层 3D NAND Flash 闪存之后，能追赶上全世界的内存大厂，缩小与 64 层堆叠，甚至 128 层堆叠 3D NAND Flash 快闪记忆的世界水准。根据 TrendForce 内存储存研究（DRAMeXchange）最新调查，三星 2018 年 NAND Flash 销售额为 221.9 亿美元，全球市场市占率达 35%，高居第一。日本东芝（Toshiba）以 19.2% 市占率排名第二，SK 海力士市占率 10.6%，排名第五。另外，就目前的生产技术来说，三星与东芝目前都已经在量产 96 层堆叠的 3D NAND Flash 闪存，SK 海力士甚至要进一步生产 128 层堆叠 3D NAND Flash 闪存的情况下，长江存储若能顺利量产 64 层堆叠 3D NAND Flash 闪存，将可拉近期之间的世代差距。
值得一提的是，除了透过长江存储布局 3D NAND Flash 闪存进入外内存市场外，紫光集团也在 DRAM 内存市场做了布局。8 月 27 日，中国重庆市人民-与紫光集团签署“紫光存储芯片产业基地专案合作协议”，根据协议，紫光集团将在重庆两江新区发起设立紫光国芯积体电路股份有限公司和重庆紫光积体电路产业基金，建设包括 DRAM 总部研发中心在内的紫光 DRAM 事业群总部、DRAM 内存制造工厂、紫光科技园等。由此可知，中国发展内存产业过程中，紫光集团在未来将扮演重要的关键角色。
(首图来源:长江存储)
