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资本开支飙,内存获利恐在年中触顶

2024-11-23 207

内存供应紧俏,业者获利直线上冲,口袋赚饱饱。外资警告,厂商砸钱增产,DRAM 和 NAND Flash 的毛利率可能会在今年年中触顶。

霸荣(Barron’s)7 日报导,Susquehanna Financial Group 的 Mehdi Hosseini 表示,内存业者的资本开支超过 50 亿美元,是毛利触顶的预兆,2013 年第四季和 2015 年 Q1、Q3 都是如此(见下图)。该行估计,2017 年 Q1、Q2 内存业的资本开支都高于 50 亿美元门槛;由此看来,2017 年毛利率可能会在年中或年末触顶。

(Source:Flickr/tiernantech CC BY 2.0)

Hosseini 警告,苹果采购完 iPhone 8 所需的内存之后,相关需求可能骤减。报告称,今年下半 NAND 供给将转为宽松,主因 48 层 NAND 制程加速转往 64 层,而且三星平泽(Pyeongtaek)厂也启用。与此同时,Kingstom 等模组厂的库存增加至 6~8 周水位,打算趁著苹果 iPhone 8 下单 NAND 时,推升实际销售。

报告称,内存业者中,Western Digital(WD)、SanDisk 毛利率波动较小,情况优于美光(MU)、SK 海力士(SK Hynix)、三星电子。这是因为 WD、SanDisk 不受 DRAM 市场力量冲击,而且都和日厂东芝(Toshiba)合资生产,可分担成本。

(本文由 MoneyDJ新闻 授权转载;首图来源:shutterstock)

2019-03-27 23:30:00

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