武汉新芯与紫光集团联手，中国 NAND Flash 产业迈入新章

紫光集团预计于武汉成立长江储存科技，未来将纳入武汉新芯并统筹旗下一切内存发展项目，目前整体规划朝向 NAND Flash 产业发展。TrendForce 旗下内存储存事业处 DRAMeXchange 研究协理杨文得表示，紫光集团与武汉新芯联手，使中国内存产业发展进入新章，可望为后续中国布建自主性内存产业带来进展。中国业者近一年来藉布局内存产业所展现的规划力、执行力与弹性均不容小觑，未来一举一动都将牵动全球内存产业格局。

DRAMeXchange 预估 2011~2016 年 NAND Flash 位元需求量的年复合成长率高达 47%，在 SSD 需求高度成长的带动下，NAND Flash 未来 10 年可望皆维持高度成长态势，因而紫光集团与武汉新芯目前的发展将着力于 NAND Flash 产业。杨文得指出，武汉新芯原为 NOR Flash 大厂，在生产经验、厂房与产能建置等基础建设有所擅长，而紫光集团则在资金募集及策略并购等均有过人之处，透过两强携手整合资源，能使中国内存产业投资的整体资源配置更加集中，并在整合上产生更多综效，对内得以于未来中国内存产业的发展中瞄准较佳的地位，对外则能提升产业上谈判的筹码，有助于中国建立产业自主性，后续发展值得关注。

现阶段武汉新芯在 NAND Flash 的布局领先其他中国内存业者，其与飞索半导体合作开发的 3D-NAND Flash 技术正持续往 32 层堆叠的初期量产目标迈进，今年 3 月也在大基金的支持下兴建新 3D-NAND Flash 厂，预计 2018 上半年实现量产目标。至于其他 NAND Flash 业者，三星除西安厂的投资外，韩国平泽厂区也规划新的 3D-NAND Flash 产能。东芝与威腾公司旗下晟碟在日本 Fab2 厂的产能持续增加，新厂也可望自 2018 下半年投产最新制程的 3D-NAND。SK 海力士则除现阶段 M11 与 M12 厂外，M14 厂第二阶段 3D-NAND 的生产也将从明年第一季开始进行。美光现除了新加坡 Fab10X 的扩建外，并未有新厂规划。杨文得进一步表示，由于 3D-NAND Flash 的厂房新建等投资远高于 2D-NAND Flash 的数倍，因此美光集团若能与紫光集团／武汉新芯比照“华亚科”模式合作（美光提供生产技术，合作方提供资金与生产产能），则能以较低的财务负担来获取长期新产能的布建，更有机会在市占率拉近与三星和东芝／威腾阵营的距离。因此紫光集团与武汉新芯的联手格外引人瞩目。