高通（Qualcomm）骁龙（Snapdragon）810 处理器频传过热，外界先前认为是台积电制程有问题，不过如今媒体批评风向转向高通，称可能该公司急就章才导致芯片出包。
phoneArena 27 日报导，部分人士之前怪罪台积电的 20 奈米制程问题，使得 Snapdragon 810 容易过热。不过台积电从 28 奈米改成 20 奈米，三星也从 20 奈米改成 14 奈米，两者都使得芯片密度提高，三星芯片却没出问题，显示或许不是制程微缩惹祸。
另外，高通客制的 Kyro 核心开发过慢，赶不上用于 Snapdragon 810，只能先采权宜之计使用 ARM 核心，或许因此引发过热。不仅如此，外传 Snapdragon 810 的 Adreno GPU 由高通自行设计，和 ARM 核心不够相容，也使得芯片一遇压力，就容易过热。
phoneArena 称，高通是否摆脱了 Snapdragon 810 过热争端，或许可从 29 日的 LG G4 发布会见端倪，要是 G4 一如真的降级改用 Snapdragon 808，可能会让高通再次受创。
（本文由 MoneyDJ新闻 授权转载；首图来源：Flickr/Maurizio Pesce CC BY 2.0）
