日经新闻 15 日报导，半导体内存代表性产品 DRAM 价格持续走扬，12 月份指标性产品中的 DDR3 2Gb 批发价格较 11 月份扬升 3% 至每个约 1.9 美元左右、4Gb 产品也扬升 1% 至 3.6 美元左右，较年初相比，上述两款产品价格皆大增 2 成，创下 2 年 10 个月来新高水准。
据报导，智能手机厂商新机种开卖时间较往年推延，加上 DRAM 厂商增产脚步延迟，是推升 DRAM 价格扬升的主因。苹果（Apple）iPhone X 开卖时间较往年机种延后 1 个月至 11 月份，也让部分中国智能手机厂商为了观察 iPhone X 动向，而将新机种开卖时间较年末推延至 2018 年初，推升年末的 DRAM 需求。
和 DRAM 增产息息相关的线路细微化没进展，是造成 DRAM 缺货（增产延迟）的主因。据记忆卡厂商指出，2017 年最先端的 20nm 以下 DRAM 产品占整体市场比重恐仅 2 成左右，比重扩大速度未达预期。
报导指出，三星等 DRAM 厂商预估将在 2018 年加快增产脚步，根据国际半导体设备材料产业协会（SEMI）指出，2017 年全球 DRAM 产能预估仅将年增 3%，2018 年预估将大增 10%。
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