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DRAM 微缩已到极限,新内存 MRAM、ReRAM 等接班?

2025-04-29 225

DRAM 和 NAND Flash 微缩制程逼近极限,业界认为次世代内存“磁电阻式随机存取内存”(MRAM)、“可变电阻式内存”(ReRAM)可能即将现身,要以更快的存取速度横扫市场。

韩媒 BusinessKorea 16 日报导,韩国半导体业者指出,16 奈米将是 DRAM 微缩制程的最后极限,10 奈米以下制程需要缩小晶体管体积,但是薄膜厚度却无法缩减,也可能不适合采用高介电常数(High-K)材料和电极。MRAM 和 ReRAM 因此备受期待,认为可以取代 DRAM 和 NAND Flash,业者正全力研发。

两种新内存都是非挥发性内存,切断电源后资料也不会消失,速度比现行内存快上数十倍到数百倍之多,由于内部构造较为简单,理论上未来微缩制程也有较大发展空间。其中 MRAM 采用磁阻效应(Magnetoresistance)技术,研发业者有 SK 海力士(SK Hynix)、东芝(Toshiba)。ReRAM 则靠着绝缘体的电阻变化,区别 0 和 1,外界认为或许能取代 NAND 型闪存(NAND Flash)。

(本文由 MoneyDJ新闻 授权转载;首图来源:Flickr/htomari CC BY 2.0)

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2019-04-08 14:30:00

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