日本媒体日刊工业新闻 27 日报导，全球第 2 大 NAND 型闪存 (NAND Flash) 厂商东芝 (Toshiba) 将携手半导体设备大厂 Canon 研发次世代半导体技术，双方将在今年内着手研发细微化技术、目标为在 2015 年度量产全球最先端的 15nm 制程 NAND Flash 产品。
据报导，日本半导体产业竞争力自 1990 年代以后就持续下滑，故东芝、Canon 期望借由“日本连合”的方式来引领技术革新脚步、提高竞争力。
报导指出，东芝、Canon 将携手研发的技术为被称为“奈米压印 (Nanoimprint) ”的次世代半导体露光技术，双方干部并已就上述合作一事展开协商，且并计划于东芝的四日市工厂内导入 Canon 的先端制造设备以进行研发，至于研发费用的分担等细节则预估将在今年内敲定并对外发表。
东芝正和韩国三星电子 (Samsung Electrocnis) 争夺 NAND Flash 市占首位宝座，东芝并计划于今年夏天开始生产采用 16-17nm 制程技术的 NAND Flash 产品(目前最先端产品为 19nm)。
精实新闻 2014-02-27 07:52:11 记者 蔡承启 报导
