就在 20 日韩国三星宣布新 7 奈米极紫外光刻（EUV）制程产线量产之后，三星副会长李在镕进一步在视察该公司时明确表示，将持续推动三星在 2030 年成为非内存的逻辑半导体龙头计划。
根据韩国媒体《BusinessKorea》报导，三星电子指出，李在镕于 20 日参观了该工厂新的 7 奈米 EUV 生产线后，与部门高层径行了相关会议。会议中，李在镕指示旗下包括半导体和显示器两大重要产品线的三星设备解决方案部门（DS）高层，要持续推动三星在 2030 年成为全球龙头的计划，这也显示出李在镕势在必得的决心。
报导指出，20 日首条内含（EUV）技术的 7 奈米晶圆生产线 V1，于 2018 年 2 月动工，投资约 60 亿美元，若未来全线建成，预计总投资将达到 20 兆韩圜 (约 178 亿美元)。 而在三星表示，V1 产线的意义，包含了紫外光线（Ultra Violet）和胜利（Victory）之意，未来也将针对市场需求，适时额外投资。
报导还进一步指出，三星电子研判，未来掌握 EUV 技术对拉近与龙头台积电的差距至关重要。因为利用短波紫外线光源在晶圆雕刻半导体电路，与之前 ArF 方法相比，先进的技术可以制造出更精细的电路，并适用于 10 奈米以下的超精细制程中，是制备高性能、低功耗半导体的关键，也是未来的市场需求。
三星 V1 的 7 奈米产线除了生产 7 奈米芯片，还预计延续发展 5 奈米和 3 奈米制程。自 2020 年 2 月初量产的 7 奈米制程产品，将在 3 月交付客户。李在镕对员工表示，“去年我们播下了成为系统半导体龙头的目标的种子，今天我们率先实现了目标。”
（首图来源：三星）
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