东芝（TOSHIBA）旗下闪存部门，最近常因分拆、出售消息上新闻版面，但是技术突破并未因此停歇。稍早前才发表包含 96 层堆叠的 3D NAND，以及首款基于 3D NAND 制程生产的 QLC 类型颗粒等消息；而 11 日，东芝又再宣布 3D NAND 结合 TSV 技术，单一颗粒容量将能达到 1TB。
2015 年夏天，东芝曾发表 TSV（Through-Silicon Via，直通硅晶穿孔）技术导入应用消息，取代传统打线接合（Wire bonding）的裸晶堆叠封装技术，能够提高产品资料传输吞吐量，并且降低消耗功率。11 日又再宣布，正火热的 3D NAND 率先导入 TSV 技术应用，传输速率、容量、功耗表现又将创下新纪录。
这款 BiCS FLASH 本质上是属于 TLC 架构类型，将以 48 层堆叠 3D NAND 制程，结合 TSV 技术进行生产，其 Toggle DDR 界面具有 1066Mbps 传输速率。Toshiba 所标示裸晶堆叠封装数量，虽然维持既有的 8、16 层，但是已经足以提供单颗容量达 512GB、1TB 产品，意味单一裸晶容量有 512Gbit（64GB）这么大。
▲ TSV 技术应用示意图。
东芝今年 2 月曾发表 512Gbit 产品讯息，但那是基于 64 层堆叠的 3D NAND，现在导入 TSV 技术应用的 3D NAND 只有 48 层，可见未来还有容量密度提升空间。东芝已在 6 月试产，正式样品将于下半年陆续出货，并预定 8 月在美国举行的 Flash Memory Summit 活动，展出与介绍这项技术产品。
（本文由 T客邦 授权转载；首图来源：东芝）
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