AI 与 5G 等加速处理巨量资料与分析的速度，使得兼具提升运算速度并降低耗能的下世代内存技术就成为关键。为此，工研院于 12 月在美国旧金山登场的 2021 国际电子元件研讨会（2021 IEDM）中，发表可微缩于 28 奈米以下的铁电式内存，未来可应用在人工智能、物联网、汽车电子系统，加速产业跻身“下世代运算技术”领先群。
工研院电子与光电系统所所长吴志毅表示，工研院在下世代内存技术上深耕多年，这次发表的铁电内存，除了能同时达到极低操作与待机功耗要求，这次更开发出可微缩于 28 奈米以下的关键技术，与过去只能在 65 奈米以上制程实现的技术，领先了二个制程节点以上，晋升 28 奈米以下先进制程等级的嵌入式内存产品，未来可应用智能手机、智慧车载、AR/VR 等 AIoT 应用。
吴志毅进一步说明，而这次在 IEDM 中，工研院也携手阳明交通大学，发表将内存技术应用于退火加速运算的成果，以量子启发式（Meta-heuristic）计算算法开发出全球第一颗内存内退火加速芯片，较既有运算速度快万倍，可被视为未来量子电脑的杀手级应用，广泛应于半导体制程、生医基因定序、金融商品、物流排程上，加速产业落地与创新。
工研院近年来持续将内存技术应用于下世代运算技术，并已在今年多次发表成果。例如今年上半年在全球顶尖电路研讨会（ISSCC）中，与清华大学合作同步发表 8bits 内存内运算芯片，能源效率达 22.75 TOPS/W，较过去提升 6 倍。
不仅如此，在11 月的亚洲顶尖电路研讨会（ASSCC）中，工研院与阳明交通大学更共同发表在每瓦功耗上，每秒可进行超过两万兆次运算（20943 TOPS/W）的极高能效1.5 bits内存内运算芯片，较过去的技术大幅提升数十倍以上。
（首图来源：工研院）
