美商内存大厂美光科技（Micron）于 21 日宣布推出业界首款搭载 LPDDR5 DRAM 的通用闪存储存（UFS）多芯片封装 uMCP5。美光的 uMCP5 现已准备进行量产，该产品在紧密设计的封装中结合高效能、高容量和低功耗的内存和储存空间，使智能手机能够以更快的速度和功耗效率处理资料密集型 5G 工作负载量。
美光之前曾于 3 月份时宣布 uMCP5 产品送样。而以此为基础，美光所推出的 uMCP5 做为首款搭载新一代 UFS NAND 储存和低功耗 DRAM 的多芯片封装，将为手机市场树立新标准。事实上，当前智能手机必须储存和处理大量资料，已达到 LPDDR4 规格的中阶芯片组的内存带宽极限，导致影片分辨率降低、延迟严重和功能受限。因此，借助 LPDDR5，美光将内存带宽从 3,733 Mb/s 大幅提升至 6,400 Mb/s，即使在使用处理大量数据的功能时，也能为手机用户带来无缝的即时体验。
美光还强调，此多芯片封装采用美光的 LPDDR5 内存、高可靠性的 NAND 以及领先的 UFS 3.1 控制器，支援过去只有在使用独立内存和储存装置等产品的昂贵旗舰机种中才能看到的进阶手机功能。而且伴随着搭载于更多的高阶手机，影像识别、进阶人工智能（AI）、多镜头支援、扩增实境（AR）和高分辨率显示等新兴技术，将能供越来越多的消费者使用。此外，uMCP5 专为次世代 5G 装置设计，可轻松快速处理和储存大量数据，而不影响效能或功耗。高效能内存和储存装置让 uMCP5 得以全面支援 5G 下载速度，且能同时执行更多应用程序。
美光进一步指出，其 uMCP5 产品的优点，首先是因为 LPDDR5 与 LPDDR4 相比，功耗效率提升近 20%，而且美光的 UFS 3.1 较前一代的 UFS 2.1 功耗降低约 40% 的情况下，对于智能手机用户而言就意味着电池寿命的延长，即使在使用耗电的多媒体应用程序或资料密集型功能（如 AI、AR、影像识别、游戏、沉浸式娱乐等）时也是如此。其次，美光的 uMCP5 释放 5G 效能的全部潜力，与美光之前 UFS 2.1 规格的解决方案相比，用户的持续下载速度提高 20%。
另外，美光的 uMCP5 NAND 也将耐用性提升约 66%，达到 5,000 次写入 / 抹除周期（P/E cycles）。使得在不降低装置效能的前提下，成倍增加装置可编程和清除的次数和数据量，即使是最重度的使用者，也能延长智能手机的使用寿命。再加上搭载 uMCP5 的装置将支援高达 6,400 Mb/s 的最大 DRAM 带宽，较上一代 LPDDR4x 的 4,266 Mb/s 带宽提升 50%。这使得手机用户可以在不影响体验的情况下对多个应用程序进行多工处理。带宽的提升还能为智能手机中 AI 驱动的运算摄影实现更高品质的影像处理，为用户提供专业摄影功能。
最后，美光的 uMCP5 还采用了最快的 UFS 3.1 规格储存界面，与美光上一代 UFS 2.1 产品相比，连续读取效能提高一倍，写入速度提高 20%。而美光还利用其多芯片封装专长和已知的制造和封装技术，以尽可能紧密的外形尺寸设计 uMCP5，达到更纤薄、更灵活的智能手机设计。与独立的解决方案（即 LPDDR5 和 UFS 的独立版本）相比，使用美光封装的装置可以节省 55% 的印刷电路板空间。空间的节省使手机制造商能够尽可能扩大电池尺寸或增加功能，如镜头、手势装置或感应器。美光提供多种容量配置，有高达 12 Gigabyte（GB）的 LPDDR5 和 512GB 的 NAND。
美光指出，uMCP5 现已准备量产，有 4 种不同容量配置，包括 128＋8GB、128＋12GB、256＋8GB 和 256＋12GB 等。
(首图来源:美光提供)
