在动态随机存取内存 (DRAM) 制程陆续进入 1X 及 1Y 的制程领域领域之后，全球 DRAM 龙头韩国三星 21 日宣布，该公司首次在业界开发了第 3 代 10 奈米等级（1Z 奈米制程）的 8GB 高性能 DRAM。这也是三星在发展出 1Y 奈米制程的 DRAM 之后，经历 16 个月的时间，再开发出更先进一代制程 DRAM 产品。
据了解，新一代的 1Z 奈米制程 DRAM，三星在不使用极紫外线光刻机 (EUV) 的情况下打造，这显示三星进一步提高了 DRAM 的生产极限，并且拉高了竞争对手的生产门槛。而随着 1Z 奈米制程产品的问世，并成为业界最小的内存生产节点下，目前三星已经准备好用其新的 1Z 奈米制程 DDR4 DRAM 来满足日益成长的市场需求，其生产效率比以前的 1Y 奈米等版本 DDR4 DRAMUL4 高 20% 以上。
三星表示，1Z 奈米制程 8GB DDR4 DRAM 的正是大量生产时间将落在 2019 年的下半年，以因应下一代企业服务器的需求，并且和有望能在 2020 年支援新推出的高阶个人电脑。而除了提供市场的需求之外，三星还指出，跨入 1Z 奈米制程的 DRAM 生产，将为全球 IT 加快朝向下一代 DRAM 界面，包括了 DDR5、LPDDR5 和 GDDR6 等预做准备。而且，这些具有更高容量和性能的 1Z 奈米制程产品将增强三星在市场的业务竞争力，巩固其在高阶 DRAM 市场应用的领导地位，包括服务器、图形和行动装置等领域上。
另外，有市场消息指出，在与一家 CPU 制造商就 8GB DDR4 模组进行全面验证后，三星将积极与全球客户合作，向其提供一系列即将面世的内存解决方案。而且，为了满足目前的行业需求，三星计划增加主要内存生产的比重。
(首图来源:三星官网)
