中芯半导体被视为中国技术最先进晶圆代工厂，中芯已在 2015 年下半量产 28 奈米，正逐步追赶台湾晶圆代工二哥联电，16 日中芯再宣布 28 奈米 HKMG 制程进入设计定案（tape-out），成为中国首家同时提供 28 奈米多晶硅（PolySiON）和 HKMG 制程的本土晶圆厂。
HKMG 制程成各大晶圆厂必争之地
中国中芯半导体 16 日宣布 28 奈米 HKMG 制程已成功进入设计定案阶段（tape-out），为中国本土晶圆厂中，首家可同时提供 28 奈米多晶硅（PolySiON）与高介电常数金属闸极（High-K/Metal Gate，HKMG）制程的厂商。HKMG 技术较 SiON 难的多，但可较 SiON 改善驱动能力、提升晶体管的性能，同时大幅降低闸极漏电量，所形成的绝缘层氧化物厚度也较薄，进一步可降低晶体管的尺寸，在首度被采用于 45 奈米制程后，各大厂在制程优化时，都会推出 HKMG 制程。
HKMG 因流程的差异、金属闸极在源极与汲极区之前或后形成，而分为 IBM 为首的 Gate-first 与英特尔为主的 Gate-last 两大阵营，Gate-last 要做到与 Gate-first 管芯密度相同，需要较复杂的工序以及设计端的调整，因此台积电、格罗方德等大厂一开始都是采 Gate-first 制程，联电则采混合式，然都遭遇到 Vt 临界电压难以控制，功耗暴增难解的情况，台积电在 2010 年发展 28 奈米制程毅然决然改走 Gate-last，在 2012 年，包含 HKMG 制程的 28 奈米全世代制程技术都量产，而直到 2014 年下半，联电才推出 28 奈米 HKMG 制程。
（Source：유전박막실험실(DTFL)）
步步进逼台湾晶圆代工二哥
联电 2009 年推出 40 奈米，中芯直至 2013 年才量产 40 奈米，到了 28 奈米制程，联电在 2014 年第一季量产，中芯在 2015 年 8 月有高通的扶持，也宣告 28 奈米量产出货，从三年的技术差距缩小到一年半，现在中芯推出 28 奈米 HKMG 也追上来了。
中芯在 HKMG 走的是台积电、联电的反路，中芯在 28 奈米节点原先走 Gate-last，在 2012 年得到 IBM 的协助，签订合作开发协议，以 Gate-last 与 Gate-first 兼容进行技术开发，不同于先前 40 奈米的技术授权，IBM 这次协议同意中芯可就研发成果往更先进制程开发，对中芯而言无疑可进一步建立起自身的研发能力。另外，在客户端，28 奈米除了获高通骁龙 410 的订单，在 HKMG 平台也得到中国大唐电信旗下联芯的支持。
联电率先登陆设 12 吋厂，先进优势仍在？
中国近年积极打造自有 IC 一条龙，期望做到 2020 年 40% 核心零组件自主生产，以中国为中心的半导体群聚正在成形，联电以参股形式率先登陆厦门设 12 吋晶圆厂，要拼 2016 年第三季投产，台积电在法规松绑后，也确定独资赴南京设 12 吋厂，在 2018 年下半直接导入 16 奈米。
联电初期登陆以 55/40 奈米切入，碍于台湾法规，赴中国设厂之制程技术需落后台湾一个世代以上（N-1），联电目前最先进制程技术仍在 28 奈米，联电为了加速超车，放弃 20 奈米制程，直接发展 14 奈米，但只要制程未能推进到 14 奈米，联电在中国厂的技术也就无法导入 40 奈米以下制程，在中芯持续壮大下，以及台积电直接在中国导入 16 奈米制程，联电压力并不会小。
联电在 2015 年 6 月宣布已与 ARM 合作完成 14 奈米设计定案，预计于 2016 年量产，然联电在今年 1 月底法说会并未对 14 奈米进度多加着墨，仅强调加大对 28 奈米的布局，并持续在 28 奈米 HKMG 制程之外，再优化推出更低功耗的 28 奈米 HPCU 制程。中芯在 14 奈米则获高通、华为以及比利时研究机构 IMEC 的撑腰，2015 年 6 月四方宣布共同成立合资公司，发展 14 奈米技术，力拼 2020 年量产。
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