美中贸易战升温以来，中国-就意识到，美国最终会以“禁售令”杀手锏来对付中国企业。果不其然，美国商务部确认将中国华为及旗下 70 家子公司一同列入“实体管制名单”。像之前美国禁售中兴通讯与福建晋华，美国企业未经许可下，不能与名单企业进行生意往来与服务。就中兴通讯与福建晋华的结果来看，中兴通讯同意了美方条件，并缴清罚金后才避免倒闭的命运，而福建晋华至今禁售令持续，公司处于停摆状态，可见禁售令的杀伤力之大。
因美国禁售令的杀伤威力，使美中贸易争端开始之际，中国就有人开始检讨，一旦美国禁售令实施，中方是否有自给自足的供应链可提供完整配套措施，以弥补美方禁售令的制裁。尤其，目前面临美方禁售令的华为，是中国-极力扶持，并且能在全球市场与其他国际性科技企业一搏的公司。针对这次美国对华为禁售令磨刀霍霍，中国也开始自给自足供应链计划，尤其半导体产业更是关键。
根据外媒报导，在中国发展半导体产业自给自足供应链的方面，首先在 x86 架构，应用在 PC、服务器等产品的处理器发展上，这部分至今为止依旧是英特尔（Intel）及 AMD 的天下，中国方面要想有取代的机会至今仍很困难。虽然，日前中国上海的兆芯积体电路发表了最新的 x86 架构处理器。
而这款处理器采用 16 奈米制程所打造，支援 SSE4.2 / AVX 扩展指令集，拥有最多 8 个 CPU核心，主频最高3.0GHz，支持双通道 DDR4 内存，最大容量可达 64GB。但处理器与英特尔及 AMD 主流以 10 奈米或 7 奈米制程打造，主频能达 5.0GHz 以上仍相差甚远。更何况 x86 的硅知识产权授权也来自国外厂商。因此，要真正取代还有一段时间。
智能手机关键的行动处理器，华为借由台积电先进制程打造的麒麟（Kirin）处理器，目前已安装于大多数华为智能手机，效能也能与目前高通（Qualcomm）、三星（Samsung）、联发科（Mediatek）等全球性处理器大厂一搏，性能就不在此多加叙述。
但是，打造行动处理器关键的晶圆代工先进制程，则决定着是否能到造出先进行动处理器的关键。目前，中国最大最先进的晶圆代工厂中芯国际，根据其所最新公布的财报显示，2019 年第 1 季，最先进的制程 28 奈米不过占其总营收到的 3%，其营收来源多半来自 40 奈米到 65 奈米之间的产品贡献。虽说，目前中芯国际皓程 2019 年将量产 14 奈米，而且号称 12 奈米制程也进入客户导入阶段。但是相较台积电与三星已经开始量产 7 奈米制程，而且 5 奈米都已经在准备当中的情况，这方面中国要迈入自主阶段，短期间并不容易。
提到半导体制程，就不得不提到其中引领先进制程进步的关键：光刻设备。在全球光刻设备中，在进入 10 奈米制程之后，荷兰商 ASML 绝对是其中的霸主。不过，因为瓦森纳协议（THE WASSENAAR ARRANGEMENT-DUAL-USE LIST-CATEGORY 3-ELECTRONICS）的关系，以及台积电、三星、英特尔等厂商早就将 ASML 有限的产能一扫而空，中国厂商要拿到先进的光刻机设备，就成为难上加难的状况。所以，中国扶植自身光刻机厂商的发展，也就成为重点。
目前，中国有两家光刻机发展厂商被产业投注大量期望。一是中微半导体，另一为北方华创。中微半导体方面，从 28 奈米之际就已经与台积电合作，之后一直延续到 10 奈米及 7 奈米制程。中国媒体曾报导，中微半导体自主研制的 5 奈米等离子体刻蚀机经台积电验证，有机会导入全球首条 5 奈米产线。北方华创方面，在大基金扶持下，已经 14 奈米节点光刻设备的生产能力。一旦美国对华为禁售令持续，中国借由扶植这两家国产半导体设备来打破封锁将会加速。
至于，在内存的方面，中国建有三大济济体生产基地，分别是武汉的长江存储、合肥长鑫、福建晋华，这三大基地总投资规模预计超过 5,000 亿人民币。其中，长江存储主要生产 3D NAND Flash，合肥长鑫、福建晋华则以生产 DRAM 为主。不过，就在 2018 年 10 月 29 日，美国对福建晋华开出了禁售令，限制美国企业卖产品给福建晋华之后，目前福建晋华几乎呈现停摆的状态，甚至有媒体报导，福建晋华甚至希望向美光和解，但遭到福建晋华的否认。
三大内存基地去掉福建晋华之后，中国-将发展内存的重任放在长江存储和合肥长鑫身上。长江存储方面，虽然已经成功量产 64 层 NAND Flash，与三星的技术差距显著缩小至 2 年左右。不过，根据消息人士透露，目前量产的数量不多，未来可能对中国国内的中低阶产品应用产生影响，对高阶市场冲击不大。至于，长江存储计划在闪存技术上采取了跳跃式发展，64 层堆叠是未来两年生产的主力，再下一代则会直接进入 128 层堆叠的情况。对此，目前市场仍在观察当中。
合肥长鑫方面，则是专注 DRAM 研发、生产与销售。根据合肥长鑫董事长兼首席执行官朱一明在日前表示，合肥长鑫最初技术来源是奇梦达（Qimonda），之后通过与国际大厂合作，持续投入研发超过 25 亿美元，并不断完善自身研发技术，目前已累积有 1 万 6 千个专利申请，已持续投入晶圆量超过 15,000 片，之前规划是 2019 年底达成月产能 2 万片，以加速实现中国内存国产化目标。
只是，对于合肥长鑫的乐观看法，外界则是有不同的意见。主要原因还是在于专利上，因为合肥长鑫是不是真的来自奇梦达，或奇梦达过去的技术能运用在当前的 DRAM 生产上，目前都抱持着怀疑看法。另外良率部分，外传目前合肥长鑫生产的 DRAM 良率非常低，改善良率就成为关键。所以，如何在美国的限制下进一步改善良率，外界也在观察。
（首图来源：shutterstock）
