身处资料经济时代里，企业成败关键就在于运用潜藏在数据背后的洞见与力量，内存与储存方案的领导者 Micron 美光科技日前在台北国际电脑展分享，如何透过创新内存和储存技术，让资料中心到智慧终端的运算性能再进化，并在彻底发挥 AI 与 5G 创新应用动能后，全面加速数据洞见与智慧化进程的愿景。该公司也在盛会上发表一系列全球首款基于 176 层 NAND 与 1α DRAM 技术的内存与储存产品，以及全球第一款支援 UFS 3.1 界面的车用储存方案。
在今后数据导向的新世界中，谁掌握了数据的力量，就等于掌握致胜的关键，换言之，数据分析与洞见已然成为企业获得创新动能的关键源泉。美光执行副总裁兼事业长 Sumit Sadana 表示：“在全新资料经济背后，AI 人工智能与 5G 成为两大关键趋势与动能，两相结合下将打造诸多超乎想像的机会和创新。”他进一步指出，内存和储存技术、算法与深度学习应用，以及数据可得性与潜能，成为 AI 创新的三大动能。在 5G 高带宽、低延迟与多端点连接等优势的加持下，为 IoT 物联网与 M2M 机联网奠定厚实基础，造就了终端数据的爆炸性成长，并带来颠覆性的创新与价值突破。
业界首款 176 层 PCIe Gen4 SSD 系列，满足极致功耗效率储存需求
在市场打滚 40 多年的美光，如今最值得大书特书的新里程碑，莫过于首度在 NAND 和 DRAM 领域同时取得节点与量产的领先优势，这也成为该公司在今年台北国际电脑展上的重头戏。
首先就 NAND SSD 来说，随着 Covid-19 英国/印度变种的持续延烧，居家学习与办公趋势大幅增长，进而带动 2021 年 PC 市场呈现日产量约为 100 万台的爆发型成长，其中尤以轻薄型笔电的成长最显著。为了实现快速开机、多重显示器、多工应用与多人线上游戏等需求，愈来愈多的笔电开始只搭载 M.2 SSD。对此，美光正式宣布推出全球首款采用 176 层 NAND 技术的 PCIe Gen4 SSD。
“随着美光推出先进 176 层 NAND以及 QLC 四层储存单元（Quad-Level Cell） NAND 技术，我们可以满足消费者更高容量、更低耗能、更小尺寸与更低成本的储存需求，”美光企业副总裁暨储存业务事业部总经理 Jeremy Werner 表示。“PCIe Gen4 的采用预计会在今年秋季进入高潮，2021 年到 2023 年间的出货量将成长超过 6 倍。
▲ 2021 年到 2023 年间 PCIe Gen4 SSD 出货量将成长超过 6 倍。（Source：Micron）
目前美光将推出两款支援 176 层 NAND 技术的 NVMe 1.4 M.2 SSD 产品系列：包括效能型 Micron 3400 与实惠型 Micron 2450。前者主打 3D 动画、CAD/CAM设计与游戏等高阶应用，比起上一代 Micron 2300 产品，其读取速度高达 2 倍，写入速度则提升了 85%，最高容量可达 2TB。后者能为日常作业提供卓越使用体验，最高容量达 1TB，共有三种不同尺寸可供选择，其中最小只有 22×30mm，约莫 25 美分硬币大小。
▲ 效能型 Micron 3400 SSD。（Source：Micron）
▲ 三种不同尺寸的 Micron 2450 SSD，最小款约莫 25 美分硬币大小。（Source：Micron）
由于这两款产品系列具备绝佳的功耗效率，因而名列 Intel 现代待机合作伙伴入口平台元件清单（Modern Standby Partner Portal Platform Component List），同时符合 Intel 雅典娜创新计划（Project Athena）Open Lab 的 SSD 测试要求。除此之外，也获得 AMD PCIe Power Speed Policy 与 Windows Modern Standby 验证。
美光推全球首款 1α 制程 LPDDR4X 与 DDR4，并致力打造 DDR5 生态系统
美光最受瞩目的成就之一，莫过于其在 DRAM 制程技术的不断突破，该公司早在 1 年前就领先业界首创 1z 制程，今年初更再接再厉推出内存容量提升多达 40% 的 1α 制程技术。
在此技术加持下，美光正式宣布推出两款全球首先采用 1α 制程的 LPDDR4X 与 DDR4 内存节点，前者适用于手机与 PC 客户，并已在 6 月份全面开始大量出货。该产品比起 1z 制程节点，不论在功耗（降低 15%）、电池续航力、尺寸与使用者体验上皆更胜一筹。后者锁定资料中心客户，目前已在许多资料中心平台进行验证，并正式大量出货。
▲ 全球首款采用 1α 制程的美光 LPDDR4X。（Source：Micron）
此外，比起 DDR4，拥有两倍最高资料传输速率（6400 Mbps）、突发传输周期（Burst Length）、Bank Group 分组架构与 Bank 记忆库的 DDR5，已被视为今后内存的下一步创新标准，更是让 AI 等超高内存容量需求之应用发挥最佳效能的利器。
对此，美光总裁暨首席执行官 Sanjay Mehrotra 表示，2020 年起该公司便开始积极推动 DDR5“技术应用支援计划”（Technology Enablement Program, TEP），以便打造出能让合作伙伴加速解决方案设计、验证与上市时间的 DDR5 生态系统。截至目前为止，已有来自超过 100 家企业、250 位设计及技术领袖共襄盛举。美光资深副总裁暨运算与网络事业部总经理 Raj Hazra并补充指出：“允许内存和处理器以开放形式连接的 CXL 直连内存（Compute Express Link）开放标准则是美光另一项关注焦点，透过该标准得以创建近端与远端内存两种阶层，这对推动未来资料中心系统级转型有莫大助益”。
▲ 美光 2020 年起开始积极推动 DDR5 TEP 计划。（Source：Micron）
满足未来智慧驾驶体验，美光推出全球首款 UFS 3.1 NAND 闪存
根据美光预测，到了 2025 年，有 75% 的数据会在资料中心以外的地方（包括手机、工业、网络与车用领域）产生与处理，汽车俨然成为有轮子的资料中心。正因为如此，除了前述 176 层 NAND 和 1α DRAM 制程上的领先业界创新外，身为车用内存领先供应商的美光，在会场上发表的另一个重点就是全球第一款 UFS 3.1 界面车用储存方案，包括 128GB 与 256GB 两种不同容量的 96 层 NAND 闪存皆已开始送样，预计 2021 年第三季度开始量产。
相较于 EMMC 5.1 车用内存，UFS 3.1 提供 5 倍快的读取速度、50% 快的持续写入速度，其读取速度也比 UFS 2.1 快两倍。美光并宣布加入高通 Snapdragon 汽车驾驶座舱平台（Qualcomm Snapdragon automotive Cockpit platforms），该平台将美光 UFC 产品作为主要搭载的储存方案，进而为未来驾驶提供更迅捷的立即启动、应用载入、平顺切换与无线更新体验。
▲ 美光推出全球第一款 UFS 3.1 界面车用储存方案。（Source：Micron）
美光企业副总裁暨嵌入式业务事业部总经理 Kris Baxter 总结道：“无论 PC、手机或车用规格，美光采取全新的心态从上游着手，确保技术能符合车内操作的需求。我们从晶体管、固件、产品开发的层级开始，确保该产品在开发阶段早期便具有全面车用的能力。”
（首图为美光总裁暨首席执行官 Sanjay Mehrotra，图片来源：美光）
