日前韩国媒体报导，美商内存厂美光 (Micron) DRAM 及 NAND Flash 闪存生产技术领先韩国三星及 SK 海力士两大全球市占率名列前茅的内存厂商，消息震撼韩国半导体业界，现在三星出来喊话，将加速生产 200 层或更多层数堆叠的 V-NAND 闪存。
《BusinessKorea》报导，8 日一位三星高层表示，已开发出第 8 代 V-NAND 闪存解决方案测试芯片，多达 200 多层堆叠。三星将依计划并消费者需求推向市场。据三星布局，第 8 代 V-NAND 闪存预计堆叠层数将多达 228 层。
三星目前正在韩国平泽的新晶圆 2 厂测试第 7 代 176 层堆叠 V-NAND 闪存生产线。预计月产量可达 10,000 片 12 吋晶圆，并从 2021 下半年开始量产，之后立即接续量产第 8 代 V-NAND 闪存。
这次三星在新产品发前就透露下一代 NAND Flash 闪存产品的堆叠层数很不寻常。一般来说，不正式公布 NAND Flash 闪存产品堆叠层数很常见，原因在堆叠层数很可能会在开发过程发生变化，或因产品路线变化，结果与预期有差异。这次三星似乎是强调 NAND Flash 闪存产品技术，全球没有任何竞争者可与三星比较。
三星 NAND Flash 闪存仍旧稳居全球市场龙头，但美光 2020 年 11 月宣布量产业界首个 176 层堆叠的 NAND Flash 闪存，内存大厂 SK 海力士也宣布完成 176 层堆叠 NAND Flash 闪存生产，竞争对手的成果发表，让三星过去的技术优势面临挑战。有韩国市场人士表示，三星第 7 代 V-NAND 闪存开始量产后，将立即加快第 8 代 V-NAND 闪存量产计划，就是为了持续保持与竞争对手领先差距。
三星除了介绍第 8 代 V-NAND 闪存为 228 层堆叠技术，也介绍第 7 代 V-NAND 闪存采用 176 层堆叠生产。更上一代的第 6 代 V-NAND 闪存，相当于 100+ 层堆叠产品。另外 ，三星也宣布，将在 2021 年下半年发表其以第 7 代 V-NAND 闪存的消费等级固态硬盘 ( SSD )。
(首图来源：Flickr/Insider Monkey CC BY 2.0)
