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拉拢日本合作客户,联电 24 日举行东京技术论坛

2024-11-25 211

联电 24 日宣布,东京国际论坛中举办的联电 2016 日本技术论坛正式展开。联电指出,2016 年的日本技术论坛的主题是以晶圆厂的“Innovation by Collaboration”以合作带来创新的商业模式为主。未来联电希望透过此模式,运用策略合作方式,加速推进与日本客户间彼此在研发、硅智财、市场开发、客户产品导入量产等面向的成功。

联电表示,2016 日本技术论坛也是联电与其生态系合作伙伴展示其制程技术、制造、EDA、硅智财、测试封装及市场应用的平台,介绍联电与合作伙伴如何支援日本 IDM 与无晶圆厂芯片设计公司。会中,联电首席执行官颜博文代表致开场词,新日本无线株式会社 (NJR) 社长暨首席执行官小仓良则发表了主题演讲。

联电首席执行官颜博文表示,日本高科技产业正面临车用IC、物联网、扩增 / 虚拟实境、无人机、医疗和机器人等崭新应用新一波的成长。这些多样化的垂直市场需要强大的合作关系与全方位的技术,才能实现客制化应用产品专有的解决方案。

颜博文进一步指出,联电能够快速为晶圆专工客户提供成果,这样的成功必须归功于与客户及供应链之间的密切合作。联电与客户合作能创造在市场上展现重要产品差异的客制化技术,同时提供专有硅智财与应用平台,使客户与联电的互动更为顺畅,而联电也期待能将这些竞争优势带给日本客户。

除了在活动中强调合作模式外,联电也展示了具竞争优势的制程技术,包括 14 奈米 FinFET、量产中的 28 奈米 HK/MG 、RFSOI 、MEMS 、2.5D/3DIC 、BCD 及车用电子 Grade 1 与 Grade 0 标准认证芯片的制造实力。

联电目前于日本东京设有业务据点,同时也是日本三重县 12 吋晶圆厂 Mie Fujitsu Semiconductor (MIFS)  的合资者之一。目前联电位于中国厦门新建的 12 吋合资晶圆厂联芯集成电路,目前也正在设备移入阶段,预计将在 2016 年底进入生产阶段。

(首图来源:《科技新报》摄)

2019-04-02 10:30:00

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