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爱普 2021 年每股赚 13.67 元!拟配发股利 6 元、殖利率 1.5%

2024-12-24 207


爱普今日举办法说会,董事长陈文良表示,去年第 4 季受逻辑晶圆短缺的影响,较第 3 季度略显衰退,其中 IoT 事业部的 IoT RAM 在连接与穿戴应用上的出货数量受到影响,AI 事业部虽在授权与设计收入维持前季水准,但晶圆堆叠晶圆(WoW)的出货量仍受到长短料缺货的冲击。

爱普去年第 4 季营收 17.38 亿元,年增 72%,毛利率 46%,第 4 季毛利率仍维持在前三季水准;累积 2021 全年营收 66.17 亿元,年增 86%,毛利率 46%,税后净利 20.25 亿元,每股纯益 13.67元,若换算与去年同期相同股票面额则每股纯益为 27.34 元,年增 147%。

爱普会中宣布 2021 年股利分配案,每股拟派发现金股利 6 元,若换算与去年同期相同的股票面额,相当于派发现金股利 12 元,大幅优于前年的现金股利 5 元,若以今日收盘价 392 元计算,现金殖利率为 1.5%。

陈文良表示,预期在逻辑晶圆短缺问题缓解后,今年整体营运仍将维持成长的态势,IoT RAM 在应用面持续扩展下,仍将持续成长,同时凭借技术及客制化优势,维持高毛利区间水准,并由于客户依存度高,能在客户有变更设计需求时,第一时间提供解决方案,所以能维持市占率的领先地位。

陈文良指出,爱普即将跨足到硅电容器(Silicon Capacitor,IPD)的新领域,因为电容是电路不可缺少的零件之一,传统的结构是将电容装在电路板上,而硅电容就是用 IC 技术在硅晶圆上做的电容。

陈文良说明,爱普借用 DRAM 堆叠(stack capacitor)技术以取代传统深槽刻蚀(Deep trench)作法来研发设计硅电容器,用堆叠技术做的硅电容相比于传统电容更薄,密度更高,爱普已耕耘这个技术上多年,预期将在今年下半年可开始营收贡献;长线来看,IoT 事业群的营运向上趋势不变。

陈文良补充,AI 事业部则持续着重于 3D IC 内存 IP 授权和晶圆销售,相关技术正逐步进入主流应用,目前 3D IC 是整个半导体行业的趋势,爱普的 3D IC 解决方案能提供 HBM 应用 10 倍以上的带宽优势,爱普逐步从特殊市场,跨入包括网络运算、CPU、AR/VR 的主流市场。

随着全球高速运算(HPC)市场加速发展,AI 应用渐趋多元化,运算需求不断提升,今年发展重点在将真 3D IC 堆叠的异质整合技术建置得更为完整,去年下半年开始正式出货的 WoW,透过前段晶圆厂 Hybrid Bonding 技术来提升连接密度,WoW 相当适合需要高速运算效能的应用领域,如挖矿、网络连接等。

爱普投入开发 CoW uBump (Chip-On-Wafer microBump)技术,这个技术着重与后段的封测厂搭配开发,其连接密度虽较低于 WoW 应用,但是相对能提供主流应用在设计架构上有较大弹性,借由 WoW 与 CoW 两种技术,预期未来客户需求将大幅涌现,现阶段公司将持续投入资源打造完善可以量产的供应生态链,以提供客户完整的供货体系。

为了充实中长期营运资金,投入创新技术研发,爱普日前在卢森堡证交所挂牌上市,新发行海外存托凭证每单位表彰普通股 2 股,每单位 29.65 美元,每股价格折合新台币 410 元,发行总股数 12,800,000 股参与发行海外存托凭证,计 6,400,000 单位海外存托凭证,海外募得总金额约为 1.9 亿美元。

(首图来源:爱普)

2022-03-02 07:56:00

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