全球 SiC 晶圆市场规模约为 8 千多亿美元，SiC 晶圆与 GaN on SiC 磊晶技术大厂 Cree 为求强化自身功率及射频元件研发能力，决议 2019 年 5 月于美国总部北卡罗莱纳州特勒姆市，扩建一座先进自动化 8 吋 SiC 晶圆生产工厂与一座材料超级工厂（Mega Factory），期望借此扩建案，提升 Cree 在 SiC 晶圆上的生产尺寸与提升晶圆使用市占，并提供 GaN on SiC 先进磊晶技术进一步应用于功率及射频元件。
Cree 收回 Wolfspeed 事业部，加码扩厂开发功率及射频元件
以 LED 材料与元件起家的 Cree，近年将研发方向集中于功率及射频元件领域的理由，可从与英飞凌（Infineon）的购并案渊源说起。原先 Cree 旗下以功率及射频元件为主力的 Wolfspeed 事业部因本身经营策略，已规划于 2016 年 7 月公告出售该部门至英飞凌功率半导体事业体，期望借由此次购并案，使英飞凌成为车用 SiC 元件的领先霸主；但事情发展并非如此顺利，2017 年 2 月出售案经美国外资投资委员会（CFIUS）评估后，以可能涉及军事管制技术原因决议禁止该购并案，迫使 Cree 需重新思考因应策略及经营方针。
此后 Cree 于 2018 年 2 月及 3 月时，提出与英飞凌的 SiC 晶圆长期供货协议，并向英飞凌收购射频功率半导体事业部，试图解决美国外资投资委员会出售禁令的损失，保持与英飞凌的合作关系；2019 年 5 月 Cree 又提出扩厂计划，说明其已将开发重心逐渐转回功率及射频元件领域上，持续投入 8 吋 SiC 晶圆生成技术的提升，借此拉抬 SiC 元件于车用、工业及消费型电子领域的市占空间。
▲ Cree 旗下 Wolfspeed 出售案经过及后续发展。（Source：拓墣产业研究院整理，2019.7）
各厂于 GaN on SiC 磊晶技术的目标市场皆不同，后续发展仍需持续观察
现行 GaN on SiC 磊晶技术主要集中于 Cree 手中，Cree 拥有最大 SiC 晶圆市占率（超过 5 成以上）；根据官网资料，目前使用的 SiC 基板尺寸最大可达 6 吋，主要应用于功率半导体的车用、工业及消费型电子元件，少量用于通讯射频领域；未来扩厂计划完工后，预期可见 8 吋 SiC 基板应用于相关功率及射频元件制造。
另外，Cree 在 GaN on SiC 磊晶技术领域的竞争对手为 NTT AT（日本电信电话先进技术），使用的 SiC 基板最大尺寸为 4 吋，借由后续磊晶成长如 AlGaN（或 InAlGaN）缓冲层后，形成 HEMT（高电子移动率晶体晶体管）结构，目标开发高频通讯功率元件。
因此现阶段 GaN on SiC 磊晶技术的应用情形，各家厂商瞄准的目标市场皆不同，仍处于发展阶段，有待后续持续关注。
▲ NTT AT 高频通讯功率元件磊晶图。（Source：拓墣产业研究院整理，2019.7）
（首图来源：shutterstock）
