Samsung Galaxy S10 终于也开始有间谍渲染照与消息传出了!最近几天国外两位爆料大神先后刊登相关消息,而且两者的内容还相符,意味着可靠性相当高,明年初 Samsung 的新旗舰王者 Galaxy S10 系列,将有可能采用全新的钻孔式设计,再度提升屏幕的占比。
Samsung Galaxy S10 终于也开始有间谍渲染照与消息传出了!最近几天国外两位爆料大神先后刊登相关消息,而且两者的内容还相符,意味着可靠性相当高,明年初 Samsung 的新旗舰王者 Galaxy S10 系列,将有可能采用全新的钻孔式设计,再度提升屏幕的占比。
稍早爆料大神之一的 Ben Geskin,于 Twitter 放上多张 Galaxy S10 的间谍渲染照,皆采用屏幕近全占比的设计,只有左上角有一个相机圆孔,其他几乎都是屏幕,因此相较于 S9 可说有大幅度的提升。另外再加上 Edge 屏幕的优势,摆在 iPhone Xs Max 明显感受其差异:
而在先前的 Samsung 折叠屏幕发表会上,Samsung 也曾透露最新 Infinity 屏幕技术设计共有四种,分别是 Infinity-U、Infinity-V、Infinity-O 以及 New Infinity,而这次 S10 爆出的渲染图,正是采用 Infinity-O:
如果 S10 真是这设计,那不论是玩游戏、还是看影片,整个爽度又更高了,可以看到更多的画面,不像 iPhone Xs Max 会被讨厌的下巴挡住:
另一外爆料大神 Evan Blass 也透露几个 S10 重要的特色,其中第一点就是描述会使用钻孔式设计,而且他听到的也是采用 Infinity-O,跟 Ben Geskin 分享的间谍渲染照完全符合。另外还有超声波的屏幕内指纹感测器、三镜头设计(主镜头/广角镜/望远镜)以及搭载新版的 One UI 基于 Android Pie 操作系统:
Few preliminary Galaxy S10 details:
– "Punch hole" style selfie cam cutout (sounds like Infinity-O display).
– Ultrasonic, in-display FPS
– Three rear cameras (standard/wide/tele)
– One UI over Android Pie— Evan Blass (@evleaks) November 13, 2018
至于规格部分,目前还没有太多消息传出,不过没意外应该会采用 7nm FinFET 制程的新款 Exynos 处理器。
资料来源:Ben Geskin、Evan Blass