SK 海力士终于赶上三星电子，成为全球第二家成功量产 20 奈米 DRAM 的厂商。该公司也力拼 3D NAND Flash 研发，期盼能在明年量产 48 层 3D NAND。
BusinessKorea 15 日报导，SK 海力士人员受访表示，该公司引入 20 奈米 DRAM 制程，过程虽有困难，但已经稳定，开始寄送样品给客户、进入量产。据此而言，SK 海力士是世界第二家量产 20 奈米 DRAM 的业者。三星首开先例，去年 3 月就量产 20 奈米 DRAM。
SK 海力士也宣布 3D NAND 研发计划，社长朴星昱（Park Sung-wook）表示，计划今年逐步发展 36 层 3D NAND，明年全面量产 48 层 3D NAND，和三星较劲的意味浓厚。三星电子 8 月 10 日宣布，第三代 V-NAND 已正式量产，以 48 层 3-bit MLC 堆叠。
据传该公司有意拓展系统半导体业务，Park 说，这无法短时间内能办到，需要进一步提升能力，若不如此连购并都难以进行，将先发展内部实力，包括晶圆代工等，再来考虑下一步。
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