科学背后是严谨的假设求证，需要经年累月尝试实验，艺术却有无限的想像空间。
“消除负面记忆”是人们一直希望达成却又害怕的事，不少科幻作品多有想像描述；而在现实生活，利用基因编辑、注射药剂等方式消除令人痛苦的回忆，也开始成为众多研究人员的着手点。
意大利博洛尼亚大学的研究人员提出假设：以非侵入性方式，以磁刺激大脑特定部位，消除负面记忆。
7 月 30 日，实验成果发表于学术期刊《当代生物学》（Current Biology），论文题为《State-Dependent TMS over Prefrontal Cortex Disrupts Fear-Memory Reconsolidation and Prevents the Return of Fear》（经前额叶皮质的状态相依性磁刺激干扰恐惧记忆重建，防止恐惧情绪返回）。
重复磁刺激达成记忆反固化
要刺激大脑消除记忆，首先要找对位置：“背外侧前额叶皮质”。
大脑有一块名为前额叶皮质的区域，和认知、情绪、疼痛和行为管理等有关。顾名思义，前额叶皮质就是前额头后面那部分大脑皮质，灵长类生物进化时变化最大的也是这部位。
这部位有多智慧？如果有人提起你去过的风景名胜，大脑各部位会撷取相关资讯，如地理位置、建筑风格、色彩等，所有零散资讯只要经过前额叶皮质就可整合，所有记忆中关于此名胜的资讯就会汇整输出。
如下图所示，前额叶皮质包括背外侧前额叶皮质（Dorsolateral Prefrontal Cortex，dlPFC）和眶额皮质（Orbitofrontal Cortex），博洛尼亚大学团队选择的是能控制记忆检索、启动记忆、重组记忆的 dlPFC。
找到目标位置后，就该考虑如何刺激大脑了。
要把短期记忆变成长期记忆，大脑要努力运作，避免这段记忆因刺激或伤病受干扰，这过程就叫“固化”（consolidation）。
举一反三，想消除一段记忆，就是倒转固化程序，将记忆状态由稳定变成不稳定。科学家称此反转过程为“反固化”（reconsolidation）。
博洛尼亚大学团队决定透过重复经颅磁刺激（rTMS）反固化，这种方式无痛无创，可改变 dlPFC 部位神经活动的磁场。
消除记忆的原理很明确了，实际又是如何操作？
研究人员选择 84 位身体状况良好（指没有类似实验将产生的恐惧记忆等任何记忆）参与者进行实验──参与者接受负面刺激形成恐惧记忆，研究人员于 24 小时后透过帮助启动参与者的恐惧记忆并观察反应，再对参与者反固化 10 分钟。
用肤电反应证明可行性
之后研究人员测量参与者的肤电反应（GSR）。
肤电反应是心理学的情绪生理指标，代表有机体受刺激时皮肤电流的变化。这项实验，皮肤电流的变化反映反固化的效果好坏。
肤电反应结果显示，反固化 24 小时后，参与者对恐惧记忆的生理反应明显减少。
前额叶皮质一定程度不对称，所以研究人员实验也分别侦测参与者左右两侧的 dlPFC 变化，并发现反固化 24 小时后左右两侧 dlPFC 对恐惧记忆的生理反应减少程度接近──就是说不论哪侧，反固化都有发挥效用。
不过，研究团队也发现下列情况的参与者，对恐惧记忆的生理反应并未有任何变化：
- 刚做完反固化就测量参与者肤电反应。
- 反固化没有恐惧记忆的参与者。
更重要的是，经过反固化，参与者的恐怖记忆也消失了。
综合上述结果，反固化对 dlPFC 的影响将随时间推移变化；记忆反固化过程，以无创方式刺激大脑消除记忆这条路可行。
研究人员认为：
这些发现为理解恐惧记忆重新整合机制提供新方向；同时，对标靶情绪、适应不良记忆也有潜在临床意义。这些发现将对恐惧症、创伤后应激障碍、强迫症等疾病的治疗提供新想法。
要解释的是，强迫症之一的记忆强迫症，成因为心理防御意识过强，强迫记忆会带来心理与行为障碍，患者整天情绪充满惶恐焦虑。有研究表明，记忆强迫症患者时常将大脑空间留给各种回忆，因此出现记忆问题。
不过各地研究团队已研发出不少消除负面记忆的技术，如：
- 大脑特定区域注射异丙酚（全身麻醉剂），给药 24 小时后负面记忆破坏。
- 利用光遗传学技术刺激海马回特定区域，可消除负面记忆。
- 开发受光遗传学启发的类脑芯片，透过模仿大脑储存和移除资讯的方式消除消极记忆。
- 基于基因编辑达成特定记忆精确移除。
可见，消除负面记忆已不仅停在艺术家的想像里，而用尖端技术做到科幻作品情结，未来很有可能实现。
- State-Dependent TMS over Prefrontal Cortex Disrupts Fear-Memory Reconsolidation and Prevents the Return of Fear
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