日经新闻 2014 年 1 月 1 日报导，东芝（Toshiba）将携手韩国海力士（SK Hynix）于2016年度量产可大幅提高智能手机性能的次世代内存“磁电阻式随机存取内存（Magnetoresistive Random Access Memory；MRAM）”，量产时间将比美国美光科技（Micron Technology）所计划的 2018 年提前了约2年时间。
报导指出，东芝和 Hynix 于 2011 年开始共同研发 MRAM，并计划于 2014 年度内进行试作品的出货。据报导，东芝/Hynix 将利用位于首尔郊外的 Hynix 主力工厂生产 MRAM 试作品、最快并计划于 2016 年度进行量产，且若后续 MRAM 呈现普及，双方也计划设立合资公司、并计划在韩国投资 1,000 亿日圆兴建专用产线。
目前 MRAM 的研发可分为三大阵营，除了上述的东芝/Hynix 之外，三星电子（Samsung Electronics）也正进行研发，而美光则和东京威力科创（Tokyo Electron）等 20 家以上日美半导体相关企业进行合作，希望于 2016 年度确立 MRAM 的量产技术、之后并计划于 2018 年透过美光子公司尔必达（Elpida）的广岛工厂进行量产。
MRAM 为一种低耗电力且写入速度极快的非挥发性内存，且即便切断电源资料也不会消失；和现行主流内存“DRAM”相比，MRAM 的记忆容量及写入速度可大幅提高至 10 倍，且搭载 MRAM 的电子产品的耗电力可缩减至三分之二，即在充饱一次电的情况下，可将智能手机的使用时间自现行的数十小时大幅延长至数百小时。
据日经指出，东北大学预估，2020 年 MRAM 全球需求可望达 7 兆日圆，且随着内存需求持续自 DRAM 转移至 MRAM，预估包含智能手机等电子机器、制造设备及材料等相关领域计算，整体 MRAM 相关经济效应将达 100 兆日圆。
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