Panasonic 1 日发布新闻稿宣布，旗下半导体子公司 Panasonic Semiconductor Solutions Co., Ltd.（以下简称 PSSC）将和台湾联电（UMC）携手研发“可变电阻式内存”（ReRAM）的次世代（40nm）量产制程。
ReRAM 和现行已广为普及的闪存（Flash Memory）一样，是非挥发性内存的一种，其特色就是结构简单、处理速度快以及低耗电力，而 PSSC 已于 2013 年量产采用 180nm 制程技术的 ReRAM 产品。
Panasonic 指出，此次的合作将融合 PSSC 研发的 40nm ReRAM 制程技术和联电高可靠度 CMOS 制程技术，而 PSSC 将在 2018 年进行 40nm ReRAM 的样品出货。
据日经新闻报导，Panasonic 上述采用 40nm 制程技术的 ReRAM 产品将在 2019 年进行量产，其中 Panasonic 负责设计、回路形成等制造技术将由双方携手研发，量产工作将委由联电负责，且 Panasonic 计划早期将该 40nm ReRAM 年营收提高至 50 亿日圆左右的水准。
据报导，和现行主流的内存相比，ReRAM 耗电力可缩减至七分之一，而 Panasonic 目标是借由 ReRAM 取代三星、东芝所量产的 NAND 型闪存部分市场。
（本文由 MoneyDJ新闻 授权转载；首图来源：联电）
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