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因应内存市场复苏,各厂商积极扩产至 2021年创产能历史新高

2024-11-24 205


根据市场调查研究机构《IC Insights》的预测,预计自 2020 年开始,全球半导体企业将开始进行扩产,新增生产设备及产线之后,2021 年半导体产业新增的产能可望创下历史新高。

《IC Insights》在最新研究报告中指出,预计全球半导体产业将在 2020 年增加 10 条 12 吋晶圆的产线。在此基础上,预计到 2024 年为止,半导体产能年平均成长率将来到 5.9%,相较 2014 年到 2019 年的过去 5 年时间,全球半导体产能的年均增加率达到 5.1% 相比,成长率微幅上升。

报告指出,根据韩国媒体报导,为避免 2017 年及 2018 年半导体产业中内存供应不足的状况再次发生,相关的内存企业开始计划增加产线。不过,因为 2019 年半导体产业的状况不佳,全球半导体设备产能利用率仅 86%,远低于 2019 年的 94%,这使得相关导体企业将扩产计划延迟到 2020 年展开。

而虽然,半导体企业延迟扩产计划,但外界普遍认为,2020 年跟 2021 年将完成增加产线的部分。根据国际半导体产业协会(SEMI)近期指出,预期 2020 年全球半导体设备的总投资规模将来到为 580 亿美元的金额,相较 2019 年的金额增加 了2%。而《IC Insights》进一步分析,以 8 吋晶圆来计算,2020 年新增的产能将相当于 1,790 万片 8 吋晶圆,若产线扩产计划顺利进行,则到了 2021 年,新增产能有望达到 2,080 万片 8 吋晶圆。

报告中还点名,包括中国长江存储、华虹半导体等中国企业以及韩国三星电子、SK 海力士等内存厂商目前都有扩建新产线的计划。以三星为例,目前正在增加中国西安工厂、韩国平泽工厂的 3D NAND Flash 闪存的投资,而 SK 海力士目前也正积极建立清州 M15 工厂的产线。至于中国的长江存储也于 9 月时宣布,其 64 层 3D NAND Flash 闪存将进入量产阶段。而这些扩展的状况,都预计将会提升 2020 年到 2021 年的内存产量提升。

(首图来源:三星)

2019-12-24 07:08:00

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