需求回温、产能扩增有限，供需失衡下，DRAM 价格在 2016 年下半逆势翻转，而原本看俏的 NAND Flash 在厂商间转进 3D NAND 良率还未提升下，同样面临缺货。先前调研机构集邦科技、IHS 都预估，明年内存价格下跌不易，且有一定的成长，现在厂商也开始蠢蠢欲动，先前扩产消息频传的 SK 海力士也正式宣布砸总计约 3.15 兆韩圜（约 27 亿美元）建新厂、扩产能。
韩国大厂 SK 海力士在去年 8 月 M14 厂完工典礼上，表态要在十年内，于韩国利川、清洲等地加码建置三座半导体厂房。而今 22 日 SK 海力士公布了最新的新厂投资计划，SK 海力士表示，新厂将座落韩国清州市科技城，将于下个月展开设计、明年 8 月开始外壳结构与无尘室建构，并于 2019 年 6 月完工，而届时的设备机台安装将视公司的迁移计划而定，可以确定的是，新厂总投资金额将来到 2.2 兆韩圜，主要用于 NAND Flash 产能的布建。
韩国清州自 2008 年以来，即为 SK 海力士 NAND Flash 生产的大本营，海力士新建的利川 M14 厂虽将于明年转进 3D NAND Flash 量产，但官方进一步指出，为了因应接下来 3D NAND Flash 渗透率持续攀升、加以建厂时需两年，因此决议提前新建厂房布局。
而 DRAM 市占的扩展 SK 海力士也没打算放过，SK 海力士 22 日同日也宣布，扩张中国无锡厂 DRAM 产能，官方指出，无锡厂已占海力士 DRAM 产能的一半，将在 2017 年 7 月至 2019 年 4 月期间，投资 9,500 亿韩圜扩增无尘室提升产量。
调研机构 IHS 近日发布报告预估， 2017 年 DRAM、NAND Flash 平均销售价格（ASP）分别有 11%、10% 的增长，总产值来到 853 亿美元，到了 2020 年整体内存产值估计能突破 1,000 亿大关、2021 年达到 1,100 亿美元。2016~2021 年内存市场年复合成长率约在 7.3%。
- SK Hynix Inc. to Construct a Cutting Edge NAND Flash FAB in Cheongju
（首图来源：达志影像）
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