根据平面媒体报导，竞争对手高通（Qualcomm）日前推出新一代采用三星 14 奈米 FinFET 制程的中阶行动芯片骁龙 660 / 630，用以抢攻中阶行动手机市场，对向来在中低阶手机市场占优势的国内 IC 设计大厂联发科形成威胁。因此，联发科也即将在 2017 年推出采用台积电 12 奈米制程的新一代 P30 行动芯片，以回应高通的市场布局。
根据高通表示，新推出的骁龙 660 / 630 这两款产品能带来显著的性能提升表现。除了更长的电池续航时间，以及极快的 LTE 连线速度之外，还会达到先进拍摄与强化后的游戏体验。骁龙 660 / 630 行动平台包括整合基频芯片功能的骁龙 660 / 630 系统级芯片（SoC），以及包括射频（RF）、整合 Wi-Fi、电源管理、音讯转码器和扬声放大器在内的各项软硬件元件，进而支援一套完整的行动解决方案。
基频部分，由于两款新 SoC 均配备 X12 LTE 数据芯片，最高的下行速率可达 600Mbps。此外，骁龙 660 还支援 2×2 MU-MIMO 802.11ac Wi-Fi，与前一代的骁龙 652 相比，资料输送量可成长翻倍，但下载时的功耗却降低 60%。另外，骁龙 660 和骁龙 630 均改善电池续航表现，并具备快充 4.0 技术，15 分钟内即可充满 50% 的电量。
虽然，骁龙 835 才是高通当前顶级旗舰芯片，但高通骁龙 600 系列，包括 625、650 在内，都已被各大厂商广泛使用。特别是中阶芯片骁龙 625 采用三星 14 奈米 FinFET 制程之后，其性能和功耗都较之前产品提升，新推出的骁龙 660 / 630 也都延续采用 14 奈米 FinFET 制程。业界人士认为，骁龙 660 / 630 是高通 2017 年最重要的两款产品，出货量也会超过骁龙 835。目前，高通骁龙 660 行动平台的部分已开始出货，骁龙 630 则在 5 月下旬正式供货。
面对高通步步进逼，联发科也不甘示弱，根据媒体报导，日前举行的法说会上，副董事长谢清江对新款中阶芯片曦力（Heilo）P30 说明表示，P30 预计将采用台积电 12 奈米制程，搭载 4 个 2Ghz 的 A72 核心，加上 4 个 1.5Ghz A53 核心的 8 核心处理器，另外将支援双通道 LPDDR4 内存，内建储存部分也将导入 eMMC 5.1 及 UFS 2.0 规格水准。
至于基频部分，P30 在数据芯片规格也将提升至 Cat.10，达到最高下行速率 600Mbps 的水准，超越过去不到 Cat.7，使采用联发科芯片而无法申请补贴的影响；另外将强化影像讯号处理器的部分支援到 2,500 万画素。根据市场消息表示，P30 首位采用客户，可能为与联发科向来合作紧密的魅族。根据过去联发科市场定价策略，以及期望透过 P30 与高通竞争市场的关系，P30 的价格可能会较骁龙 660 / 630 低。如此一来是否会拉低联发科 2017 年下半年毛利率，有待进一步观察。
（首图来源：科技新报）
