6 月东芝停电事件，加上 7 月开始日韩贸易战延烧，推动了已跌到亏损流血的 NAND Flash 现货价率先反弹，结束了 2 年多来的空头走势，此波内存价格由 NAND Flash 先起涨，接下来日韩贸易战加入下，DRAM 在 7 月份现货价也开始反弹。
整体来看，对市场价格较敏感的通路商开始拉货，推动部分比较受惠于现货市场的内存模组厂商营运也明显反弹；但在合约市场部分，由于合约市场走向仍是取决于整体供需状况，又因日韩贸易战管控的半导体材料并非完全禁止出口，再加上需求面没有太大改善，所以合约市场是否可以开始开启一波多头走势则仍待观察，日韩贸易战若双方关系更趋于紧张导致实质影响供给，才较有机会助整体市况改善。
现货市场 DRAM / NAND Flash 价格反弹
由于东芝停电事件影响所及，造成此波 NAND 价格正式于 6 月落底反弹，再加上供给端一直有受到控制，近期又加上 SK Hynix 宣布减产，推动现货市场率先反弹，此波反弹以拥有较多现货的内存模组厂商威刚率先发难，甚至宣布管控出货，采用优先出货大客户的方式来控管，威刚董事长陈立白认为，这一波内存的反弹不会是暂时性短暂的，下游的库存在这一波空头后都已压到很低，现在则回头再来备安全库存。事实上，DRAM 现货价在 8 月份仍是向上走势。
DRAM 现货价自底部到最高峰价约反弹 5 成水准，陈立白表示，短期内日韩贸易战纷扰不易解决，恐影响韩国内存厂全产能量产，加上上游原厂也纷纷宣布减产或延后资本支出和设备投资，这一波反弹格局可达 11 月。
而在 NAND 的部分，均价于 2017 年 11 月起迄今已历经相当长时间的跌势，价格已贴近厂商现金成本，且已长期压在不合理的流血价，相对在东芝跳电影响下，估约影响全球 10% 的 NAND 产能，推动 NAND Flash 主要厂商都在第一时间同步调涨价格，8 月现货价格持续反弹。
研调单位仍保守看合约市场
对于日韩贸易战的影响，研调机构 TrendForce 表示，日韩原物料事件虽带动 DRAM 现货市场价格出现反弹，但现货市场的规模小，无法有效去化原厂的高库存，加上终端需求仍然疲软，7 月合约价格持续走跌。
宇瞻总经理张家騉则认为，合约市场占整个 DRAM 9 成的量，以目前即便日本把韩国踢出贸易白名单，也只是延后出货日本的半导体关键材料，不代表会断链，但以合约价在往下走的状况来看，目前堆库存都是不智之举。
TrendForce 表示，现阶段并未因贸易战而阻断了内存的生产，而合约价的议定在于供需的基本面，在产出目前尚未受到影响的情况下，合约市场并未见到支撑价格的明显力道，未来整体合约市场内存的走势，仍要观察贸易战的延烧状况，若真的动摇到生产，整体内存产业的供需则有机会较为改善。
（本文由 MoneyDJ新闻 授权转载；首图来源：shutterstock）
延伸阅读：
- 第二季 DRAM 产值季减 9.1%，第三季报价仍持续看跌
