美中加速脱钩，“中国制造 2025”核心业者之一内存制造商长江存储，近来动工兴建二期新厂，目标月产量提高三倍，以减少对美国半导体的依赖。
日经新闻、中新网报导，长江存储以武汉为大本营，20 日在武汉举行开工典礼。湖北省委书记应勇是习近平心腹，也应邀出席。
长江存储 2019 年起开始量产内存，一期产量为每月 10 万片，二期工厂完工后，产量将增至每月 30 万片。第一、二期投资总额为 240 亿美元，业界密切关注新厂制造设备进口和安装过程，能否顺利进行。
中国 2015 年发布“中国制造 2025”，以培植高科技产业。当局成立了 3 家半导体公司，生产中国自制芯片，长江存储是其中之一，以供应 NAND Flash 为主。今年 4 月长江存储宣布，成功研发出 128 层 3D NAND。
Semiconductor Engineering 22 日报导，中国多数内存都仰赖进口，为了改善情况，中国开始发展内存，长江存储跨足 3D NAND、长鑫存储则生产 DRAM。去年长江存储首次成功出货 64 层 3D NAND，今年 4 月还宣布研发出 128 层 3D NAND。目前长江存储技术仍落后同业，国际业者主要生产 92 / 96层的 3D NAND，并增产 112 / 128 层 3D NAND。
尽管如此，长江存储有能力撼动中国市场。其内存已用于中厂生产的 USB 卡和固态硬盘(SSD)，TechInsights 分析师 Jeongdong Choe 说，如果中国 OEM 代工厂采用长江存储科技，“有望颠覆NAND市占”。
但中厂要在国际内存市场占有一席之地，仍有很长的路要走。IC Insights 董事长 Bill McClean 说：“IC Insights 高度怀疑，未来十年中国能否发展出具竞争力的本土内存产业，以满足中国的内存 IC 需求”。非内存芯片，如类比、逻辑、混合讯号、射频（RF）芯片也是如此，McClean 指出：“中厂要在非内存市场具有竞争力，将花费数十年时间”。
（本文由 MoneyDJ新闻 授权转载；首图来源：长江存储）
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