根据韩国媒体的报导，韩国内存大厂三星已经确认，将会在韩国平泽市兴建一座新的半导体工厂，用于扩大 DRAM、NAND Flash 闪存的产能。之前，韩国媒体《FN News》曾经引用业界人士和平泽市官员说法报导指出，三星电子将召开管理委员会议，决定是否兴建第 2 座芯片厂，并于农历新年后宣布决定。报导指出，总投资额可能约为 30 兆韩圜（约 27.6 亿美元）。
而根据《FN News》的进一步报导，目前三星已经在韩国平泽市有了一座大型工厂，这座工厂从 2017 年开始在进行 64 层堆叠 NAND Flash 闪存颗粒的生产工作。而新工厂暂时名为 P2 Project，就在距离旧工厂不远处。目前该新工厂的投资额达 30 兆韩圜（约 27.6 亿美元），不过暂时不清楚是初步投资金额还是总投资金额。至于会采独资或者是合资的方式来兴建，三星目前也没有透露更多的消息。
报导进一步指出，现在这座新工厂已经开始建设，而且管道铺设工程也已经接近尾声。未来，新工厂完成兴建之后，将会拥有同时生产 DRAM、NAND Flash 闪存的能力。但是目前三星并没有对外披露具体的生产计划。外界预估，届时 DRAM、NAND Flash 闪存的生产应该会各占产能的一半，而且三星会根据市场的需要进行动态调整，以此来决定 DRAM 或 NAND Flash 闪存的产能高低。
根据规划，三星的这一座新工厂将会在 2019 年年底完工。因为，设备的采购和人员的到位也还需要一段时间。因此，三星最迟也要在 2018 年年底决定是生产 DRAM、NAND Flash 闪存的比例。市场人士认为，目前 NAND Flash 闪存的缺口不是很大，原有的工厂产能也没有达到满载情况，但是 DRAM 市场目前却处于供不应求的状态，所以新工厂应该会以 DRAM 为主。这样的话，只要新工厂完成后投入生产，DRAM 的产能就会得到进一步的提升，纾解当前 DRAM 不足的问题。
(首图来源:三星官网)
