IC 设计产业
印度电信商力推 4G 手机，联发科 LTE 芯片组出货上看 400 万套
联发科看好印度支援 4G LTE 行动上网科技的智能手机需求，在当地电信业者 Reliance Jio、Infocomm、Bharti Airtel 大举推出 4G 行动通讯服务的带动下，预期印度的相关产业将大幅成长。印度经济时报（Economic Times）16 日报导，联发科预期 2015、2016 年在印度出货的 4,000 万套芯片组当中，有 10% 是属于 LTE 芯片组。
小米自制处理器最快年底发表，率先用于红米系列上
IHS Technology 中国研究总监王阳称，小米自己的“芯”最快年底可望问世，将来红米都将有自己的芯片组。先前就曾有消息称，小米马上将会推出自己的处理器，但短期内主要是针对低阶型号的手机，并且仍是与联芯合作，事实上，近期传出因为高通骁龙 810 的过热问题，导致小米 5 必须延后推出，在在显示出小米若要继续壮大，掌握最关键的处理器芯片已是当务之急。
苹果扩张自制芯片版图，下一步剑指触控芯片、Wi-Fi 芯片
根据 Digitimes 报导指出，业界传出苹果下世代触控面板有意采用最新的 TDDI 技术（Touch with Display Driver），苹果内部正在研发，能够整合原有触控 IC、LCD 驱动 IC，以及指纹辨识 IC 的单芯片解决方案，希望未来 iPhone 面板将是超薄、超窄边框，以及全平面的设计。同时，业界也流传苹果有意自行研发 Wi-Fi 芯片，加上先前苹果数件指纹辨识芯片、感测器厂商的收购案，都透露苹果在自制芯片的发展上，恐怕不仅止于发展手机芯片的企图，市场上早有传言苹果亟思自行研发电脑的 CPU 以取代英特尔，事实上由于英特尔的制程延宕已造成苹果 Mac 多次延后上市，最新的 12 吋 Mac 因 Broadwell 平台处理器延期就是一例。
封装测试产业
硅品：景气 8 月回升，手机 Q3 好转
硅品董事长林文伯 16 日表示，半导体库存调整逐步告一段落，景气可望于 6、7 月探底，第三季逐月回升；外界疑虑最深的手机市场，因季节性需求浮现，而且苹果 iPhone 6 需求已趋缓，下半年非苹果阵营将积极推新产品，可望在第三季恢复成长。半导体今年第 1 季淡季不淡，第 2 季旺季不旺，原因是去年第一季晶圆代工产能相当缺，厂商担心今年第 1 季也会无法取得晶圆厂产能，因此积极备货，但实际销售不如预期，是第 2 季产业进行库存调整的主要关键。
林文伯昨天也提出硅品中科新厂的规划，将锁定覆晶封装、晶圆尺寸封装和系统级封装等高阶先进封装，提供后段从植晶到最后封装等封测垂直一贯生产线，也备妥 16 奈米及 10 奈米制程芯片的扇出型封装（Fan out）重要技术，切入手机应用处理器等产品，合作厂商涵盖全球前 20 大 IC 设计公司，订明年第 2、3 季小量生产。
IDM 厂商
三星遭 Nvidia 嫌弃良率低，自制 GPU 也受挫
韩媒 BusinessKorea 17 日报导，Nvidia 委托三星代工生产的 GPU 数量，可能会减少。三星内部人士称，Nvidia 设定 14 奈米 GPU 生产的良率标准，作为下单三星的条件，目前双方商谈缺乏进展。先前外媒也称，Nvidia 的次代 GPU 将减少下单给三星，重回台积电怀抱。与此同时，三星自行研发的 GPU 绘图芯片似乎也受挫。GSMArena 4 日报导，三星和 ARM 签订长期授权合约，将继续使用 ARM 旗下的 Mali GPU。
英特尔证实裁员，芯片业员工叫苦
oregonlive.com 报导，根据英特尔（Intel Corp.）首席执行官 Brian Krzanich 16 日发给员工的信件，英特尔每座生产基地将会裁员数百人，但预估今年一整年整体员工人数将呈现持平。英特尔原本预期今年营收将较去年的创纪录数据再成长逾 5%，第 1 季不如预期的个人电脑（PC）销售迫使英特尔下修营收展望至持平。截至 2014 年底为止，英特尔员工总数为 106,700 人。
影像感测技术再突破，量宏科技量子薄膜来势汹汹
2014 年影像感测器市场规模有 100 亿美元，至 2017 年时将达 140 亿美元。目前 CMOS 影像感测器为影像感测市场的主流。不过，事实上 CMOS 影像感测技术仍有其限制。因 CMOS 是以硅为基底的材料，所以感光能力不佳。举凡在背光、强光、低光源、动态拍摄等条件下拍照，影像呈现的品质都不够理想。
新的量子点薄膜技术是由一层高度感光灵敏的量子点所组成，用以取代一般数码相机影像感测器所采用的光电二极管硅芯片，在低光照环境之下的感光效能更胜一筹，在拍摄动态移动的物体时，影像也不会失真。其优势能让相机模组设计更轻薄，耗电量比 CMOS 感测器要更低，在提供更优异的效能表现的前提下，量子点薄膜感测器的成本与 CMOS 感测器成本相差无几，具备高性价比的优势。
DRAM 产业
DRAM 面临技术极限，MRAM 和 ReRAM 可望取而代之
韩媒 BusinessKorea 16 日报导，韩国半导体业者指出，16 奈米将是 DRAM 微缩制程的最后极限，10 奈米以下制程需要缩小晶体管体积，但是薄膜厚度却无法缩减，也可能不适合采用高介电常数（High-K）材料和电极。MRAM 和 ReRAM 因此备受期待，认为可以取代 DRAM 和 NAND Flash，业者正全力研发。
两种新内存都是非挥发性内存，切断电源后资料也不会消失，速度比现行内存快上数十倍到数百倍之多，由于内部构造较为简单，理论上未来微缩制程也有较大发展空间。其中 MRAM 采用磁阻效应（Magnetoresistance）技术，研发业者有 SK 海力士（SK Hynix）、东芝（Toshiba）。ReRAM 则靠着绝缘体的电阻变化，区别 0 和 1，外界认为或许能取代 NAND 型闪存（NAND Flash）。
DRAM 后市，华邦电保守看
内存制造厂华邦电董事长焦佑钧对动态随机存取内存（DRAM）后市看法保守，预期下半年仍将持续去化库存。对于终端应用市场，焦佑钧看好汽车市场最稳健。华邦电去年汽车电子产品比重约 7%，今年第 1 季已达 9% 水准，焦佑钧看好，今年汽车电子产品比重应可突破 1 成大关。至于物联网，焦佑钧认为，物联网只是概括性名词，对于成长驱动力目前各界仍不明朗。
（首图来源：Flickr/Windell Oskay CC BY 2.0）
