根据半导体市场调查机构 IC Insights 的最新报告指出，DRAM 与 NAND 闪存等产品，在未来 5 年内的年平均均复合增长率 （CAGR） 将达到 7.3% 的水准，产值也将从 2016 年的 773 亿美元，扩增至 1,099 亿美元。就半导体的产品别来观察，将会是所有产品成长最大的项目。
报告中指出，受惠于智能手机等行动装备对低功耗，内存需求的快速增加，这是带动 DRAM 与 NAND 闪存成长的主要原因。除此之外，使用 NAND 闪存的固态硬盘（SSD）在资料中心的储存设备中，或是笔记行电脑的应用也日趋吃重，也是拉抬其相关产业发展的关键。
IC Insights 进一步表示，如果将将半导体区分成逻辑 IC、内存、模拟 IC 与微组件（microcomponents）IC 等四大部分的话，在未来 5 年的预测区间内，将是以内存的成长力道最为强劲，模拟 IC 的成长比率 5.2% 居次，微组件则为 4.4% 排名第 3，而逻辑 IC 则仅成长 2.9% 垫底。
而 IC Insights 还指出，韩国科技大厂三星上周五公布 2016 年第 4 季财报预测时，原本预计在旗舰型智能手机 Galaxy Note7 发生电池爆炸，以致召回而最后停产的情况下，三星原本预计第 4 季在吸收 Galaxy Note7 召回成本，以及停产的损失后，最终将大亏超过 20 亿美元。不料，最终的结果是营业利益竟然还能逆势，跳增近 80% 的比率，其中一大原因就是受惠于 DRAM 与闪存的价格大涨，将利润空间拉大，补足了三星在其他部门的损失。
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