韩国内存大厂 SK 海力士宣布，成功开发出 HBM3 DRAM 内存，是全球首家开发出新一代高带宽内存 (HBM)，也是 HBM 系列内存第四代产品。新一代 HBM3 DRAM 内存不仅提供更高带宽，还堆叠更多层数 DRAM 以增加容量，提供更广泛应用解决方案。
SK 海力士 2020 年 7 月才量产 HBM2E 内存，现在就推出 HBM3，研发进度算相当快，也将巩固 SK 海力士在全球内存市场的竞争力。SK 海力士 HBM3 可提供两种容量，一种是 12 层硅通孔技术垂直堆叠的 24GB 容量，另一个是 8 层堆叠的 16GB 容量，24GB 容量芯片本身高度不超过 30 微米。
性能方面，SK 海力士 HBM3 DRAM 内存提供 819GB/s 带宽，上一代 HBM2E 带宽为 460GB/s，整体带宽提高 78%。辉达 A100 运算卡目前使用 6 颗 HBM2E 为显示内存，提供 2TB/s 带宽。一旦换成 HBM3 规格内存，带宽最高可提高到 4.9TB/s，显示内存容量也提升至最高 144GB。
进一步拿 HBM2E 与 HBM3 DRAM 内存比较，HBM3 DRAM 内存内建纠错技术，明显提高产品可靠性。据 SK 海力士说法，预计 HBM3 DRAM 内存将主要用在资料中心高效能运算服务器及机械学习平台，提高人工智能运算速度和超级电脑性能，以帮助气候变化分析和药物开发等应用项目。
(首图来源：SK 海力士)
