根据韩国媒体《每日经济》的报导指出，面对当前内存市场不论 DRAM，或是 NAND Flash 闪存供不应求的情况，韩国内存大厂 SK 海力士预计将在 2017 年下半年开始，提高 1x 奈米生产制程的 DRAM 生产比例。另外，还将持续增加 14 奈米制程的 NAND Flash 产量。目的在于以更具优势的成本竞争力，达到获利提升的目的。
报导中进一步表示，在当前行动通讯设备对 DRAM 及 NAND Flash 产品的容量持续增加，并且受惠于大数据的应用普及、人工智能与机器学习的快速发展，也使得云端资料中心的服务器需求增加，带动 DRAM、固态硬盘（SSD）需求提升的情况下，市场上对于内存的需求自 2016 年中以来热度持续不减，造成供应量的不足，并导致价格的上扬。
有鉴于市场上的需求，各家内存大厂纷纷提供投资金额，扩大产能，以争取市场商机。其中，SK 海力士在 2016 年的总投资规模达到 6.29 兆韩圜 （约新台币 1,709 亿元），而 2017 年投资金额预估更达到 9.6 兆韩圜（约新台币 2,589 亿元），略高于之前所宣布的 7 兆韩圜金额，并且计划在 2019 年 6 月底前，投资 2.2 兆韩圜（约新台币 598 亿元）用于韩国清州兴建 NAND Flash 闪存工厂。
另外，在产品的研发上，2016 年 SK 海力士总计斥资了占营收 12.2%，金额达到 2.1 兆韩圜（约新台币 571 亿元）的研究经费。其成果，除了在 2017 年 1 月推出全球最高容量的超低功耗行动装置 DRAM – LPDDR4X 之外，也在 4 月份推出可做为人工智能、虚拟实境、自动驾驶、以及 4K 以上高清显示器用内存的超高速绘图 DRAM – Graphics DDR6。
至于，在 NAND Flash 闪存的产品上，2017 年 SK 海力士成功开发出 72 层堆叠，比上一代 48 层堆叠芯片运作速度提升 2 倍，读写性能也拉升 20% 的 3D NAND Flash 之后，已经在 7 月份开始进行量产。据了解，72 层堆叠比上一代 48 层堆叠的 NAND Flash 闪存生产效能提高 30%。而针对市场上对 SSD 硬盘的需求，SK 海力士也推出搭载自主研发控制器的移动装置用 eMMC 产品，以及 PCI 界面 SSD 固态硬盘，提升 SK 海力士在 3D NAND Flash 闪存产品上的竞争力。
（首图来源：Flickr/Kimber Jakes CC BY 2.0）
