联电在日前即透露准备于中国福建泉州设立 12 吋厂，抢攻利基型内存市场，而今 13 日联电再发布重讯，宣布与福建晋华集成电路签署技术合作协定，协助晋华开发 DRAM 相关制程技术，为产业投下一颗震撼弹！
联电今 13 日宣布，与中国福建省政府投资的晋华集成签订技术合作协定，依约，联电接受晋华委托开发 DRAM 相关制程技术，技术主要应用在利基型 DRAM 的生产，由晋华提供设备与资金，并支付联电技术报酬金做为开发费用，而最终开发成果由双方共同拥有。
联电虽为晶圆代工厂商，然其手中还是握有嵌入式非挥发性内存等相关技术，联电在此前即透露，将与福建省政府合作，在泉州市建立 12 吋晶圆厂，从事利基型 DRAM 代工，并已于南科筹组超过百人的团队，投入 DRAM 相关制程，设立小型产线试产，据悉，整个专案就是由前瑞晶总经理、现任联电副总经理陈正坤所领军。
联电指出，这次与晋华的合作，结合了台湾半导体制造能力以及中国大陆的市场与资金，在台进行技术研发，专攻的利基型 DRAM 生产，不仅能提供国内 IC 设计公司使用，也能够结合逻辑技术，提供更高附加价值的晶圆专工服务。
官方也强调，在此技术合作协议下，联华电子仅负责技术开发，并没有进入 DRAM 产业或投资晋华公司的规划。
联电在 2014 年以参股形式，与厦门市政府合资兴建 12 吋晶圆厂，切入 55/40 奈米制程晶圆代工，成为台湾最早赴陆设 12 吋晶圆厂的厂商，预估最快将能在 2016 年年底投产，初期月产能约在 6,000 片左右。
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