三星电子（Samsung Electronics）领先全球同业，于去年 10 月抢先量产 3D 架构的 NAND 型闪存（Flash Memory）产品，但三星的领先优势恐维持不了多久，因为三星 NAND Flash 最大竞争对手东芝（Toshiba）传出将在今年下半年量产 3D NAND Flash，且其制造技术更胜三星一筹！
日本媒体产经新闻 25 日报导，三星于去年量产的 3D NAND Flash 产品为垂直堆叠 32 层，但东芝已研发出超越三星的制造技术，可堆叠 48 层，且东芝计划于今年下半年透过旗下四日市工厂开始量产上述 48 层架构的 3D NAND Flash 产品。NAND flash 多用于智能手机、平板等行动装置，电源关闭后，储存内容也不会消失。
报导指出，东芝所将量产的 3D NAND Flash 产品记忆容量较现行产品呈现大幅度提高，且也将超越三星的产品。据报导，三星于去年量产的 3D NAND Flash 产品传出不良率偏高且获利不佳，而东芝虽面临同样的问题，但因已确立了生产技术，故决定进行样品出货。
据报导，东芝和三星皆计划于数年内研发出容量达 1Tb（Tera bit；1Tb=1,000Gb）的 3D NAND Flash 产品，而一旦实现，就可在智能手机储存高达数十小时的 4K 影片。
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