全球 NAND Flash（储存型闪存）供给成长持续大于需求，预估 NAND Flash 今年底报价将较去年跌掉三成，且跌势恐将一直延续至 2018 年。
市调机构 IHS iSuppli 最新报告预测，NAND Flash 今年底报价将跌至 0.49 美元每 GB，远低于去年的 0.71 美元，预估 2018 年将进一步跌至 0.14 美元，其间年复合成长率为负的 28%。
NAND Flash 产出过多是导致价格崩跌的主因，若以 1 GB 等量单位计算，IHS iSuppl 估计，2018 年 NAND Flash 产出将自 2013 年的 355 亿单位成长成长 5.7 倍至 2,036 亿单位，预料将掀起价格战。
据韩国联合通讯社（Yonhap）报导，三星斥资 70 亿美元在大陆西安设置的 V-NAND Flash 厂已在 5 月开始投产，至于在后追赶的东芝（Toshiba）最近也宣布了 60 亿美元 V-NAND Flash 的扩厂计划。
以 NAND flash 市占率来看，三星以 37.4% 居全球之首，东芝、美光与海力士（SK Hynix）依序分别为 31.9%、20.1% 与 10.6%。
（MoneyDJ新闻 记者 陈瑞哲 报导）
